摘要：
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）发布采用其新型 p 通道 TrenchFET® 第三代技术的首款器件 --- Si7137DP，该 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封装，具备业内最低的导通电阻。 新型 Si7137DP具有 1.9 mΩ（在 10 V 时）、2.5 mΩ（在 4.5 V 时）和 3.9 mΩ（在 2.5 V 时）的超低导通电阻。TrenchFET 第三代 MOSFET 的低导通电阻意味着更低的传导损耗，从而确保器件可以比之前市面上
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）发布采用其新型 p 通道 TrenchFET® 第三代技术的首款器件 --- Si7137DP，该 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封装，具备业内最低的导通电阻。
新型 Si7137DP具有 1.9 mΩ（在 10 V 时）、2.5 mΩ（在 4.5 V 时）和 3.9 mΩ（在 2.5 V 时）的超低导通电阻。TrenchFET 第三代 MOSFET 的低导通电阻意味着更低的传导损耗，从而确保器件可以比之前市面上 p 通道功率 MOSFET 更低的功耗执行切换任务。
Si7137DP 将用作适配器开关，用于笔记本电脑及工业/通用系统中的负载切换应用。适配器开关（在适配器/墙壁电源和电池电源间切换）一直处于导通状态，消耗电流。Si7137DP 的低导通电阻能耗低，节省电力并延长两次充电间的电池可用时间。
对于使用 20V 器件足够的应用，Si7137DP 令设计人员无须依赖 30V 功率 MOSFET，直到最近 3
0V 功率 MOSFET 才成为具有如此低导通电阻范围的唯一 p 通道器件。最接近的同类 20V p 通道器件具有 12-V 以上的栅极至源极额定值，在 4.5V 栅极驱动时导通电阻为 14 mΩ，且没有 10V 栅极至源极电压的特点。在同类 30V 器件中，采用 SO-8 封装尺寸的最低 p 通道导通电阻在 10V 及 4.5V 时分别为 3.5 mΩ 和 6.3 mΩ，约为 Si7137DP 的一倍。 Vishay 将在 2009 年发布具有各种额定电压及封装选择的其他 p 通道 TrenchFET 第三代功率 MOSFET。今天发布的该器件 100% 通过Rg 和 UIS 认证，且不含卤素。
目前，新型 Si7137DP TrenchFET 功率 MOSFET 可提供样品，并已实现量产，大宗订单的供货周期为 10 至 12 周。
