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大基金 中芯国际 高通拟2.8亿美元投资半导体封测业务

来源: 作者:华仔 浏览:195

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摘要:   日前消息,国家集成电路产业投资基金(下称“大基金”)、中芯国际及高通旗下子公司在北京宣布达成向中芯长电半导体有限公司(下称“中芯长电”)投资的意向并签署了不具有法律约束力的投资意向书。  据悉,该项投资为2.8亿美元,将帮助中芯长电加快中国第一条12寸凸块(Bumping)生产线的建设进度,从而扩大市场规模和提升先进制造能力,并完善中国整体芯片加工产业链。  中芯长电半导体有限公司首席执行官崔

  日前消息,国家集成电路产业投资基金(下称“大基金”)、中芯国际及高通旗下子公司在北京宣布达成向中芯长电半导体有限公司(下称“中芯长电”)投资的意向并签署了不具有法律约束力的投资意向书。

  据悉,该项投资为2.8亿美元,将帮助中芯长电加快中国第一条12寸凸块(Bumping)生产线的建设进度,从而扩大市场规模和提升先进制造能力,并完善中国整体芯片加工产业链。

  中芯长电半导体有限公司首席执行官崔东、中芯国际首席财务官兼战略规划执行副总裁高永岗、华芯投资副总裁任凯、Qualcomm中国区董事长孟樸代表四方签署投资意向书(来源:中新网)

  “继投资中国集成电路前段制造龙头中芯国际、参与长电科技的跨国收购之后,我们又将投资中芯长电,推动在中国构建起由前段制造、中段加工和后段封测所构成的先进集成电路制造产业链。”大基金总经理丁文武表示,“通过产业链携手发展,将带动中国IC制造产业整体水平和竞争力的提升。此举符合大基金的投资方向,也是落实《国家集成电路产业发展推进纲要》的重要举措。”

  中芯国际首席执行官兼执行董事邱慈云对此表示:“中芯长电在短短一年已取得重要业务进展,有望于明年为客户提供量产服务,这将极大地支持中芯国际28nm工艺发展,中芯国际未来将继续支持中芯长电发展。”

  中芯长电CEO崔东表示:“感谢中芯国际、大基金及高通的大力支持,中芯长电将配合中芯国际28纳米工艺技术,结合长电科技的后段封装能力,发挥好“承前启后”的作用,共同构建本土的先进集成电路制造产业链。”

  Qualcomm Incorporated首席执行官史蒂夫·莫伦科夫表示:“Qualcomm与中芯国际的合作历史源远流长。此次我们宣布对中芯长电半导体有限公司的投资意向,意味着Qualcomm一如既往地全力支持中国繁|荣的半导体生态系统的持续增长。相信此次投资一旦完成,也将促进中芯长电扩充产能,以配合中芯国际12英寸工艺技术的量产需求。”

  目前采用中芯国际28纳米工艺制造的Qualcomm骁龙410处理器已成功在智能手机中实现商用。


型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67
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