瑞萨科技上市了符合美国英特尔提出的DC-DC转换器用SiP标准"IntegratedDriver-MOSFET（DrMOS）"的Revision3.0，封装尺寸仅为6mm×6mm的电源模块"R2J20651NP"。当输入电压为+5V、输出电压为+1.8V时，电力转换效率最大为96.5%（开关频率为200kHz），为"业界最高水平"（瑞萨科技）。适用于个人电脑和服务器配备的CPU和同步DRAM等的电源。

　　R2J20651NP是集DC-DC转换器驱动IC、高端功率MOSFET及低端功率MOSFET于一个封装的MCM（multi-chipmodule）。瑞萨科技原产品为8mm见方，因此此次的封装面积减小近一半。由于使用瑞萨科技第10代功率MOSFET，因此提高了电力转换效率。另外，由于电力转换效率高，散热片等散热部件还可使用小型产品。

　　R2J20651NP"作为DrMOS的标准产品尚属首次"，驱动IC配备了温度检测电路（瑞萨科技）。如驱动IC温度超过+130℃时，便会输出显示过热状态的信号。例如，可用于通过系统方面的电源控制IC等接收该信号、并停止系统等的电路保护。此外，还具有强制关闭低端MOSFET的功能，不连续模式下亦可工作。

　　输入电压范围为+4.5～16V，输出电压范围为+0.8～5.0V。最大额定电流为35A。开关频率最大为2MHz。封装为40端子的QFN。样品价格为315日元。

 

图1：R2J20651NP的外观。封装面积6mm见方

图2：电力转换效率最大为96.5%