关于芯朋微1-41W全功率段的单电感非隔离PN831X芯片，前面已经介绍了效率超过92%的13W LED驱动方案和BOM极简的单电感非隔离5.4W球泡灯方案，今天介绍其PN8316 80V280mALED驱动方案，该方案最大输出功率22.4W，输出效率≥93%，电流精度±3%，BOM包含18个元器件。

PN831X芯片系列应用于Buck架构的超精简外围的驱动方案，特点是外围元件少、内置高压开关MOS和启动MOS、集成自供电技术、保护功能齐全（开路保护通过外部FB电阻设置，更精确），输出电流精度高（±3%），线电压调整可由外部电阻设置、可搭配填谷电路。

图题：PN8316 80V280mALED驱动方案原理图

方案特点：
1) 单面板设计单面元器件，面积：55mm*32mm；
2) 176V~264V电压范围输出22.4W，
3) 拥有精确输出开路（低于150V）、短路、过温保护,CS电阻开短路保护
4）输出效率：≥93%（176V~264V满载）；电流精度±3%（176~264V）
5）BOM：18个，成本低，全插件，易生产

图题：PN8316 80V280mALED驱动方案DEMO

LED开关恒流源在反复开关机下发生失效经常是因为开机瞬间是芯片承受冲击电应力最大时刻之一， 如不采取合理措施容易发生IC击穿失效。PN831X系列IC均采用双模切换启动技术，在刚开机时采用超低固频能够在10ms内系统建立能量，然后转为准谐振调频模式，逐步放开PWM频率直到负载平衡，所以在瞬间启机或者异常短路重启时都能避免能量过冲从而大幅降低开关应力，同时还能保证200ms快速启动。

图题：PN8316在AC264V输入条件下瞬间开机的波形图

由上图可见，黄色CH1为Drain波形，绿色CH2为VDD波形，可以看到AC264V开机瞬间功率MOS管的最高尖峰仅为388V，即芯片MOS典型耐压的70%。VDD的尖峰仅为17.3V，即芯片VDD电源端典型耐压的42%，余量充分，工作更安全。

表：PN8316输出电流测试数据

由上表可知，此方案在满载84V 176V~264V输入时线性调整率为±0.14%。