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业界首颗内置MOS应用LED驱动 输出功率可达15W

来源:华强LED网 作者:LED-尹志坚 浏览:249

标签:

摘要: 士兰微电子推出了一款单级原边控制高功率因数LED驱动电路,SD6804S内置600V高压功率MOSFET,主要应用于反激式LED照明系统。它采用固定导通时间控制来实现高功率因数,可实现全电压输入范围,输出功率可达15W。

  士兰微电子推出了一款单级原边控制高功率因数LED驱动电路,SD6804S内置600V高压功率MOSFET,主要应用于反激式LED照明系统。它采用固定导通时间控制来实现高功率因数,可实现全电压输入范围,输出功率可达15W。



  SD6804S能够提供精确的恒流控制,工作在临界导通模式,具有非常高的效率。它工作在原边控制模式,可以省去光耦、次级反馈控制以及环路补偿,简化设计,降低成本。

  SD6804S带有完整的保护功能,例如LED短路保护,LED开路保护,过温保护,等等。

  主要特点

  原边控制反激系统

  临界导通模式

  低启动电流

  内置600V高压功率MOSFET

  前沿消隐

  固定导通时间控制

  VCC过压保护

  VCC欠压锁定

  过温保护

  逐周期限流

  峰值电流补偿

  LED短路保护和LED开路保护。

型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67
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