美光和英特尔利用25纳米硅工艺技术推出3-bit-per-cell NAND 闪存
摘要:----双方称该业界容量最大、尺寸最小的NAND设备,为众多消费存储应用带来成本优势。美光科技公司(MicronTechnologyInc.)和英特尔公司(IntelCorporation)近日联合推出25纳米(nm)制程的3-bit-per-cell(3bpc)NAND闪存,该NAND设备拥有业界最大的容量和最小的尺寸。两家公司已将初始产品样品送到部分客户手中。美光与英特尔预计在今年年底时量产该产品。与竞争对手USB、SD(SecureDigital)闪存卡和消费电子产品相比,新推出的25nm64Gb
----双方称该业界容量最大、尺寸最小的 NAND 设备,为众多消费存储应用带来成本优势。
美光科技公司 (Micron Technology Inc.) 和英特尔公司 (IntelCorporation)近日联合推出25纳米 (nm) 制程的3-bit-per-cell (3bpc) NAND 闪存,该 NAND设备拥有业界最大的容量和最小的尺寸。两家公司已将初始产品样品送到部分客户手中。美光与英特尔预计在今年年底时量产该产品。
与竞争对手 USB、SD (Secure Digital) 闪存卡和消费电子产品相比,新推出的 25nm 64Gb 3bpc存储设备的性价比更高且存储量更大。闪存主要用于存储数据、照片或其它多媒体,如计算机应用和数码设备(数码相机、便携式媒体播放器、便携式数码摄像机和各类个人电脑)之间的数据捕捉和传输。这些市场一直处在以更低成本提供更高存储容量产品的压力之下。
由双方合资组建的 NAND 闪存公司IM Flash Technologies(简称 IMFT) 所开发的这项64Gb(或8GB)25nm光刻技术,可提供每单位3比特的信息容量,而传统技术只能提供1比特(单层存储单元)或2比特(多层存储单元)。业内也将3bpc称为三层存储单元(triple-levelcell, 简称 TLC)。
该设备的尺寸与美光和英特尔容量相同的 25nm MLC(多层存储单元)相比,体积要小20%以上,是目前市场上最小的单个 8GB设备。从产品固有的紧凑型设计上看,小尺寸闪存对消费终端产品闪存卡显得尤为重要。芯片面积为131平方毫米,符合行业标准TSOP(薄型小尺寸封装)封装。
美光 NAND 解决方案事业部副总裁 Brian Shirley 说:“鉴于 NAND闪存对消费电子产品的重要性日益显著,我们将及早向 25nm TLC 过渡视为不断扩大 NAND存储产品组合的一大竞争优势。我们已经在努力根据包括 Lexar Media(雷克沙)和美光的更高容量终端产品的设计,来打造符合要求的8GB TLC NAND 闪存产品。”
英特尔副总裁兼NAND 解决方案事业部总经理 Tom Rampone 表示:“自业界尺寸最小的 25nm 芯片在1月问世,25nm3bpc 产品也紧随其后,我们将继续加速向前发展,为客户提供一系列卓越的领先产品。Intel 计划在新推出的 8GB TLC 25nmNAND 设备的基础上,利用 IMFT 在设计和制造上的优势,为我们的客户打造更高密度、更具成本竞争力的产品。”
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美光科技简介
美光科技公司 (Micron Technology, Inc.)是世界领先的先进半导体解决方案供货商之一。通过全球化的运营,美光制造和销售一系列 DRAM、NAND 和 NOR闪存,以及其他创新存储技术、封装解决方案和和半导体模块,用于前沿的计算、消费、网络、嵌入式和移动产品。美光普通股代码为MU,在纳斯达克证券交易所上市交易。垂询美光科技公司的更多详情,请访问 www、micron、com、美光科技公司的商标请参见:http://www、globenewswire、com/newsroom/prs/?pkgid=6950 。
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