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摘要: 美光在台北国际电脑展上正式发表两款3D NAND SSD产品,Micron 1100 SATA与2100 PCIe NVMe,其中Micron 1100 SATA预计将在7月开始生产,而2100 PCIe NVMe将在今年夏季末开始生产。今年初宣布旗下的SSD(固态硬碟)将开始采用3D NAND快闪记忆体后,美光(Micron)在今年台北国际电脑展(Computex Taipei 2016)发表了
美光在台北国际电脑展上正式发表两款3D NAND SSD产品,Micron 1100 SATA与2100 PCIe NVMe,其中Micron 1100 SATA预计将在7月开始生产,而2100 PCIe NVMe将在今年夏季末开始生产。
今年初宣布旗下的SSD(固态硬碟)将开始采用3D NAND快闪记忆体后,美光(Micron)在今年台北国际电脑展(Computex Taipei 2016)发表了3D NAND固态硬碟产品,包括Micron 1100 SATA与2100 PCIe NVMe,最快将在7月开始生产出货。
3D NAND采用了浮闸(floating gate)技术,搭配阵列式CMOS降低晶片尺寸,提高了现今市面上32层3D NAND的储存密度。根据美光的说明,只要AA电池大小的SSD就能提供3.5TB容量,2.5寸的SSD最高能有10TB的储存容量。
美光在电脑展上发表的Micron 1100 SATA及Micron 2100 PCIe NVMe SSD,其中1100在2.5寸规格下,储存容量最高到2TB,而在单侧M.2规格下可达到1TB。另一款2100 PCIe NVMe则是美光首款锁定用户端,结合3D NAND及PCIe NVMe技术的固态硬碟。
预定7月将开始生产的Micron 1100 SATA储存容量提供了256GB、512GB、1TB及2TB,读取速度为每秒530MB,写入速度因采用快速写入技术可达到每秒500MB,MTBF可达到150万小时。
至于Micron 2100 PCIe NVMe针对英特尔运算平台最佳化,可在应用程式中随插即用,传输频宽较标准的SSD高出4倍,2100 PCIe NVMe由于仍在测试中,因此详细的SSD储存容量、存取速度、MTBF等规格还不得而知,预计今年夏季末左右将开始生产。
美光储存事业单位用户端SSD与NAND元件团队产品行销经理Shawn Adams表示,3D NAND SSD具备了安全、高效能、省电、耐用、易管理等特色,特别适合多媒体及影像大型档案的存取需求,今年底美光旗下大部份的SSD将会采用3D NAND快闪记忆体技术。
美光指出两款3D NAND SSD适用于用户端的高效能储存需求,例如Ultrabook、平板电脑或是高效能的桌上型电脑、工作站。
不过,美光并未公布新的3D NAND SSD售价并未公布,让外界好奇与一般SSD间的单位储存成本价差,对此,美光不愿多作说明,只表示推出的3D NAND SSD将具有价格竞争力。
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| 型号 | 厂商 | 价格 |
|---|---|---|
| EPCOS | 爱普科斯 | / |
| STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
| STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
| STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
| STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
| STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
| STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
| STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
| STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
| N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |