众所周知，半导体在当今电气时代占领着核心地位。因为在今天的家电、军事、航天、国防等各种电子产品，智能产品等均需通过半导体实现其重要功能。可以说，没有半导体，就没有今天多姿多彩的电器产品。今天，我们来介绍下半导体重要元器件--开关半导体之功率MOS管。

MOS管的全称是：金属氧化物半导体场效应晶体管。在电气时代19世纪30年代德国人提出了”Lilienfeld”场效应晶体管的概念，之后贝尔实验室的肖特基博士等人也尝试过研究发明场效应管，但是都以失败告终。1949年Shcokley提出了注入少子的双极性晶体管的概念。到了1960年，开始有人提出用二氧化硅改善双极性晶体管的性能，开关功率MOS管开始诞生人世。

功率MOS管的诞生意味着一种非接触式的开关将可应用于各种高压场合，比如开关电源、适配器、LED驱动、电机驱动、电子镇流器、控制器、功放产品等电子领域。所以说,MOS管的诞生几乎可以说是为人类电子电路的发展奠定了基础。所以，开关半导体中功率MOS管对于我们今天的电子产业的产生，可以说是起决定性的作用。

但是早期的MOS管由于抗静电能力弱，导通阻抗大，输入阻抗小，抗噪声能力差，耐压低等问题，所以需要不断通过MOS工艺的改进。到了80年代，MOS性能已经达到了大大改善，电压可以耐1000V，导通阻抗小于1Ω，但是人们追求进步的脚步一刻也没停止过，又提出了superjunction MOS，这种mos具有更低导通阻抗，更快的开关速度。但是由于耐压和导通阻抗成正比，也就是要想获得更高的耐压值，必会导致导通电阻（Rson）上升，从而导致MOS损耗加大。superjunction MOS采用多次注入开槽工艺，很好地解决了这一问题。

如今,欧芯生产的MOS管更是工艺多样化，如：LD MOSFET、VV MOSFET、VU MOSFET、VD MOSFET、SJ MOSFET、Trench MOSFET、SGT MOSFET。工艺的多样化，也就造就了产品的多样化。不同的工艺有着不同的优缺点，比如：LD MOSFET为提高功率能力，要求有很高的沟道宽长比W/L，而平面水平沟道L不能太小，所以只能增大芯片面积，所以一般只能应用于低功率场合。

在五花八门的MOS工艺中，目前欧芯（OSEN）的产品采用的VD MOSFET比 VV MOSFET更易获得高的耐压和极限频率，因此在大功率场合得到更多应用，VD MOSFET结构工艺简单，单元一致性较好，跨导特性较好，雪崩能量较高；并且现在工艺的主流也是以VD MOSFET为主。VD MOSFET应用场合：主要应用于高压功率MOSFET和高开关频率，整流模块中常用的MOSFET都是VD MOSFET。

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