点评：这些MOSFET的低输入电容使其易于以很少或没有缓冲直接从SLIC控制IC进行驱动，进一步简化了电路设计，减少了元件数量和成本。还可在逻辑电平实现低栅极驱动。

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V FET">MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，将其Super Junction FET技术延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封装。

新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)具有600V的电压等级，在10V栅极驱动下的最大导通电阻仅有0.190Ω。低RDS(on)意味着更低的导通损耗，从而在液晶电视、个人电脑、服务器、开关电源和通信系统等各种电子系统中减少功率因数矫正(PFC)和脉宽调制(PWM)应用的能量损耗。

除低导通电阻之外，这些器件的栅电荷只有98nc。栅电荷与导通电阻的乘积是功率转换应用中FET">MOSFET的优值(FOM)，这些器件的FOM可低至18.62Ω*nC。

为可靠起见，这些器件均进行了完整的雪崩测试，具有很高的重复(EAR)雪崩能量。新的FET">MOSFET可处理65A的峰值电流和22A的连续电流。这四款器件均具有有效输出容值标准。

与前一代600V功率FET">MOSFET相比，新器件改善了跨导和反向恢复特性。这些FET">MOSFET符合RoHS指令2002/95/EC。

新款Super Junction FET FET">MOSFET现可提供样品，将于2010年第一季度实现量产，大宗订货的供货周期为八周至十周。