ATMI公司和Ovonyx公司日前宣布，双方在采用化学气相沉积(CVD)工艺商业化生产基于锗锑碲化物的相变存储器(PCM)方面取得突破性进展。两家企业正在合作开发的项目获得重大进步，该化学气相沉积生产的基于锗锑碲化物的相变存储器(PCM)不仅能够实现按比例缩小，而且是一种具有成本竞争力的存储器技术。由于具有独特的性能，相变存储器(PCM)是存储器体系中的新生代产品，且是NOR型闪存的替代性产品；PCM还能挤占相当大部分先进技术节点的DRAM的市场。

     此项研究在高长宽比的相变存储器单元中实现了均匀沉积，与在可比的器件结构上溅射沉积GST 225相比，显示出了良好的电学特性。结果包括各种CVD合金的沉积，设定速度低于50纳秒(ns)，典型耐受时间为108到1010个周期，100°C以上时数据保留时间为10年。最新合作研究的成果将作为同行评审的技术论文发表在九月份的《Electron Device Letters》上，重点介绍器件的电学性能。ATMI还将在欧洲相变与Ovonics研讨会(E/PCOS)上宣读一篇关于化学气相沉积工艺的论文。

    “基于锗锑碲化物的相变存储器(PCM)仍然显示出显着的商业化潜力，是NOR型闪存和部分DRAM市场的一项替代性存储器技术，”ATMI的执行副总裁与微电子事业部总经理Tod Higinbotham表示，“不过，在实现更快速地按比例缩小的道路上存在的挑战之一，便是缺乏能够生产可进一步调低复位电流的完全密闭单元。降低复位电流可降低存储器的耗电量，延长电池寿命和提高数据带宽，这对于当前以数据为中心的、高度便携式的消费设备来说都是很重要的特征。”

    两家公司计划向半导体产业授权这些技术，ATMI将提供相关的前驱材料和沉积技术，进一步推动和促进PCM高性能存储应用的商业化。ATMI将于2010年第四季度在300mm晶圆上展示CVD GST技术。