飞兆半导体公司日前推出一款FDS7066SN3器件，它采用飞兆半导体的FLMP (倒装引脚铸模封装) 和SyncFET硅技术，改善了同步DC/DC降压转换器的性能并能降低总系统设计成本。该器件集成了肖特基二极管，其SyncFET技术可在单一封装中提供分开的MOSFET及肖特基整流器的性能，即大功率和大电流的处理能力。这可使占用空间减少达50%，同时降低成本，缩短生产时间。

FDS7066SN3器件采用飞兆半导体的高效FLMP SO-8封装，再结合SyncFET技术，使到性能得以进一步提高。该器件的热效高 (结点至外壳的热阻为每瓦摄氏0.5度)、RDS低 (10Vgs时为4.5mOhms)。因此，这种30V、19A N沟道MOSFET适合用于同步降压DC/DC转换器应用低边开关。

SyncFET单片裸片采用飞兆半导体的专利技术，集成钛肖特基二极管和PowerTrench MOSFET，可达到MOSFET所要求的肖特基二极管的性能，防止MOSFET体二极管导通。这改善了反向恢复门电荷和反向恢复时间特性 -- FDS7066SN3的反向恢复门电荷为28 nC，反向恢复时间为26.6 ns (两者都是IF = 19 A，di/dt = 300 A/μs)。反向恢复电荷减少也有助于提高DC/DC转换器的整体效率。此外，采用导通电阻相同的SyncFET代替较低的MOSFET可使效率提高5%。

飞兆半导体的FLMP封装可在标准SO-8封装外型中提供体积较大的TO-263所具备的热性能及低RDS(on)特性，这种封装可使FDS7066SN3的结点至外壳热阻达到每瓦摄氏0.5度，比较标准SO-8封装每瓦摄氏250度。该封装能同时改善功率消耗：标准SO-8的消耗为2.5W，而FLMP为3W。FLMP封装结合SyncFET技术，可降低器件的运作热量，从而提高系统的可靠性、减少电路板的占用空间近一半、大大地简化布线布局以及降低元件数量。

FDS7066SN3是飞兆半导体全线SyncFET产品系列中的一员，该系列提供多种符合工业标准和可定制引脚输出的单和双解决方案。该产品与飞兆半导体针对DC/DC转换应用的其它电源方案相辅相成，包括PWM控制器、光耦器及桥整流器。