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1Gb Flash价格下季涨逾10%

来源:dongchunhui 作者:华仔 浏览:622

标签:

摘要:日前,南韩三星通告,1GbNAND型快闪内存(Flash)供不应求,报价将于第三季上涨10%到20%。1GbFlash目前每颗报价18美元,投产效益较同级DDR产品略高,南韩三星首季将两座8寸厂,由DRAM转进Flash领域,不过,随著数位相机、随身碟及IA产品出货增加,NAND型Flash仍供不应求,1GbFlash第三季报价将率先调升10%,每颗报20美元。据透露,因SD卡今年需求大增,出货量由去年的300万片,增加到3,000万片,增长幅度达十倍;另外,数位相机结合手

日前,南韩三星通告,1Gb NAND型快闪内存 (Flash)供不应求,报价将于第三季上涨10%到20%。1Gb Flash目前每颗报价18美元,投产效益较同级DDR产品略高,南韩三星首季将两座8寸厂,由DRAM转进Flash领域,不过,随著数位相机、随身碟及IA产品出货增加,NAND型Flash仍供不应求,1Gb Flash第三季报价将率先调升10%,每颗报20美元。 据透露,因SD卡今年需求大增,出货量由去年的300万片,增加到3,000万片,增长幅度达十倍; 另外,数位相机结合手机的NAND型Flash需求,也是价格上扬的原因。NAND型Flash掌握在三星及东芝手中,记忆卡矽智财(IP)则为美国圣碟 (San Disk)所有,三星市占率已达55%。
型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67
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