飞兆半导体公司宣布推出30V、9mW FDC796N和100V、70mW FDC3616N的N沟道MOSFET器件，专为处理1.8W的功率耗散而设计，包括电信设备和互联网集线器及路由器，以至仪表设备和ATE设备。

FDC796N和FDC3616N是飞兆半导体最新独特功率MOSFET系列中的成员，该系列结合了飞兆半导体的PowerTrench技术和SuperSOT-6 FLMP(倒装引脚铸模封装)。FDC796N和FDC3616N同时提供极低的RDS(on)额定值和低栅极电荷 (通常分别为14nC和23nC)，封装只占用9mm2 的印刷电路板面积 (SO-8封装则占用30mm2)。

飞兆半导体的专利FLMP封装省去了传统的线邦定，还提供印刷电路板和MOSFET模片 (漏极连接) 之间的超低热阻路径。与许多其它MOSFET封装相比，这种封装能通过减少电和热的损耗提升产品性能。例如: 与具有类似热性能)器件的常用SO-8封装相比较，FDC796N所占的印刷电路板面积只有其三分一。在原边开关点采用FDC3616N并在同步整流端使用FDC796N的组合，可为微型半桥、48V电信输入的DC/DC转换器，提供良好的解决方案。

此外，30V FDC796N适用于同步降压POL(负载点)，以及可在开关频率高达1MHz下工作的电源。在这种应用中，低电感SSOT-6 FLMP可与低栅极电荷及低栅极阻抗MOSFET相辅相成，从而进一步降低开关损耗。