摘要： 日前AMD的研发人员开发出一种高性能的晶体管，其性能比目前的高性能P通道金属氧化半导体(PMOS)高30%。这种晶体管采用AMD专有的技术，其中包括一般称为单元全耗尽的绝缘硅(SOI)。在另一相关的研究中，AMD的研发人员利用金属门开发出一种受压(strained)硅片晶体管，其性能比传统的受压硅片晶体管高20至25%，为业界创下新的晶体管性能标准。AMD将出席今年6月11日至12日在日本京都举行的超大规模集成电路研讨会(VLSISymposium)，并计划