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飞兆出N沟道低RDS值MOSFET

来源:mamingkeda 作者:华仔 浏览:992

标签:

摘要:本站讯飞兆半导体(FairchildSemiconductor)针对DC/DC转换推出5种N沟道40VMOSFET,分别为FDS4770、FDS4470、FDS4780、FDS4480和FDS4672A,可用于笔记本电脑、电脑VRM、电信、数据通信/路由器及其它便携/手持式设备的电源设计。FDS4770的最大Rds(on)为7.5毫欧姆,据称是40V,SO-8封装的MOSFET中的极低水平,而最高结点温度为175°C。这些40V的MOSFET具有增强的抗雪崩能力,能适应恶劣的操作环境,比如在存在高瞬态电压的应用或MOSFET

本站讯 飞兆半导体(Fairchild Semiconductor)针对DC/DC转换推出5种N沟道40V MOSFET,分别为FDS4770、FDS4470、FDS4780、FDS4480和FDS4672A,可用于笔记本电脑、电脑VRM、电信、数据通信/路由器及其它便携/手持式设备的电源设计。FDS4770的最大Rds(on)为7.5毫欧姆,据称是40V,SO-8封装的MOSFET中的极低水平,而最高结点温度为175°C。

这些40V的MOSFET具有增强的抗雪崩能力,能适应恶劣的操作环境,比如在存在高瞬态电压的应用或MOSFET需要承受增强应力的工作模式中。根据特定应用所要求的输入和输出电压,这些40V MOSFET可用作同步整流器,或者在隔离和非隔离电源设计中用作初边或高边开关管。

其中,FDS4470具有低栅极电荷,可在高频条件下实现高效率,对驱动器电路造成的应力较小。FDS4480为用户提供另一种选择,其栅极电荷与RDS(on)的关系和FDS4470不同,且价格较低。FDS4672A为低栅极驱动应用提供较低的阈值电压。FDS4780是FDS4480的低导通电阻版本,具有相同的栅极电荷,其FOM值最佳。
型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67
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