英特尔和意法半导体已联手研究相变内存(phase-change memory，PCM)。此前这两大芯片厂商一直在研究基于硫族化物的相变内存——作为一种非易失性内存，这种内存可能取代闪存。


根据各自与Ovonyx公司签署的许可协议，英特尔和意法半导体都在研究相变内存。Ovonyx Inc.是Energy Conversion Devices的全资子公司。Ovonic Unified Memory试图利用在非晶态与晶态之间的可逆相变。在硫族化物合金中，可以影响这些状态，比较典型的有碲化锑和碲化锗合金。

但是，英特尔和意法半导体计划在即将在6月13-15日于檀香山召开的VLSI科技研讨会上提交一篇双方联合撰写的论文。这两家公司的工程师将介绍一种90纳米制造节点相变内存工艺，基于硫族化物材料存储元素，利用一个垂直的PNP双极结晶体管作为选择器器件。

英特尔和意法半导体的作者在论文摘要中表示：“12F2具有较小的单元面积、良好的电气性能和内在的可靠性，显示出了PCM单元概念的可行性。”据信，意法半导体已利用90纳米工艺开发出了128Mbit大型陈列样品，并在考虑利用45或32纳米技术商业化批量生产容量为几个G的产品。

意法半导体和英特尔在NOR闪存领域已开展商业合作，尽管他们迄今未共享制造工艺或者产品。两家公司曾在2005年12月宣称，将基于通用规范提供硬件、软件兼容的NOR闪存产品。他们在90纳米节点已开始推出512M器件，并称随后是采用65纳米工艺的单芯片1G NOR闪存。

由此可见，NOR闪存正面临多种新兴闪存技术的挑战，除NAND闪存外，相变内存正在苦苦追赶。