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摘要:图4-19磁通响应式磁头图4-20是磁通响应式磁头中可饱和铁心的磁化曲线,H是施加于可饱和铁心的外磁场强度,B是可饱和铁心内的磁感应强度。当磁场强度H<HM时,磁感应强度B与H成正比,即B=μH,μ是磁导率。当H>HM时,磁感应强度恒定于BM值,不再随H的增加而提高,达到磁饱和状态。施加于可饱和铁心的外磁场强度可分为两部分。一是激磁电流I流过绕组N2和N3时产生的交变磁场强度H2和H3,设激磁电流为(4—19)则磁场强度为(4—20)(

图4-19 磁通响应式磁头
图4-20是磁通响应式磁头中可饱和铁心的磁化曲线,H是施加于可饱和铁心的外磁场强度,B是可饱和铁心内的磁感应强度。当磁场强度H<HM时,磁感应强度B与H成正比,即B=μ H, μ是磁导率。当H>HM时,磁感应强度恒定于BM值,不再随H的增加而提高,达到磁饱和状态。施加于可饱和铁心的外磁场强度可分为两部分。一是激磁电流I流过绕组N2和N3时产生的交变磁场强度H2和H3,设激磁电流为
(4—19)
则磁场强度为
(4—20)
(4—21)
式中n2和n3分别为绕组N2和N3单位长度内的匝数。

图4-20 可饱和铁心磁化曲线
另一外磁场强度是磁尺上的磁信号H1对可饱和铁心的作用,如图4-19所示,设H1为:
(4—22)
式中H0——磁场强度的振幅;
λ——磁波H1的波长;
x——磁头相对于磁尺的位移。当磁头位于图示的a点时,H1=0。
磁通响应式磁头的制做,通过适当地选择磁头的物理参数和结构尺寸来实现。
当H1=0时,保证H2和H3的共同作用,使可饱和铁心处于临界饱和状态。这时,根据磁路定律,可饱和铁心内的磁感应强度为
(4—23)

图4-21 可饱和铁心工作曲线
式中W是一个与磁头磁阻有关的系数。在可饱和铁心处于临界饱和状态时,B1的工作点位于图4-21所示的O点,即原点。在这种情况下,B1在磁头的N1段产生的交变磁通
(4—24)
式中S为N1段的横截面积。
交变磁通Ф1使线圈N1产生感应电势E,E用下式表示:
(4—25)
若设e是E的二次谐波,显然,对于上述这种情况
e=0 (4—26)
当磁头偏离磁尺上的a点向右移动时,若
,它的作用使可饱和铁心上各段的外磁场强度有的加强,有的减弱。设AB段因H1≠0而加强,即AB段除外磁场强度H2和H3共同作用外又叠加了一个正的直流分量H1。H1的作用,使AB段磁感应强度子B2的工作点上移(至f点,见图4-21),从而导致AB段铁心内的磁感应强度B2由临界饱和状态变为可饱和状态,出现磁饱和,使B2的正弦波波顶被削掉。在这种情况下,B2在磁头的N1段产生的交变磁通
(4--27)
它使线圈N1产生感应电势E,用傅里叶级数将E展开,出现多级偶次谐波,其中二次谐波为
(4--28)
式中E0为系数。
很显然,式(4-26)是式(4-28)在x=λ/2,λ,3λ/2,2λ,…条件下的特殊情况。
综合上述两种情况,通过设置选频滤波线路对拾磁绕组N1中的感应电势进行调制,即只选取拾磁绕组N1中感应电势的二次谐波e,这时,从式(4-26)及式(4-28)可以看出,根据这两个式子,由调制后得到的感应电势的二次谐波e,便可确定出拾磁磁头和磁尺的相对位移,且信号e与拾磁磁头和磁尺的相对移动的速度无关,而只与两者的相对位移大小相关。
| 型号 | 厂商 | 价格 |
|---|---|---|
| EPCOS | 爱普科斯 | / |
| STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
| STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
| STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
| STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
| STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
| STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
| STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
| STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
| N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |