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单结晶体管的使用问题

来源:ducuimei 作者:华仔 浏览:979

标签:

摘要:1.1在第二基极B2上串联1个限流电阻R2,限制单结管的峰值功率1.2电路中的CT或VP(峰值电压)较大时,CT上应串联一个保护电阻,以保护发射极B1不受到电损伤。1.3在某些应用中,用一只二极管与单结管的基极B2或发射极E相串联,这样可改善温度稳定性及减小电源电压变化的影响。1.4单结管和硅可控整流器的抗辐照特性很差,不宜在辐照环境中使用。单结晶体管的使用问题单结晶体管具有大的脉冲电流能力而且电路简单,因此在各种开关应用中

1.1 在第二基极B2上串联1个限流电阻R2,限制单结管的峰值功率
1.2 电路中的CT或VP(峰值电压)较大时,CT上应串联一个保护电阻,以保护发射极B1不受到电损伤。
1.3 在某些应用中,用一只二极管与单结管的基极B2或发射极E相串联,这样可改善温度稳定性及减小电源电压变化的影响。
1.4 单结管和硅可控整流器的抗辐照特性很差,不宜在辐照环境中使用。
单结晶体管的使用问题
单结晶体管具有大的脉冲电流能力而且电路简单,因此在各种开关应用中,在构成定时电路或触发SCR等方面获得了广泛应用。它的开关特性具有很高的温度稳定性,基本上不随温度而变化。
单结管又名双基极二极管,它作为振荡器的基本电路如图2-5所示。

图2-5 单结管振荡器

为了提高使用可靠性,在使用过程中应注意以下问题:
1.1 在第二基极B2上串联1个限流电阻R2,限制单结管的峰值功率
因为电路工作时,在B2和E间常常表现出很大的峰值功率。
R2应满足:R2 =0.4 RBB
ηV1
式中:V1-电源电压; RBB=RB1+RB2; η =RBB
RB1+RB2
1.2 电路中的CT或VP(峰值电压)较大时,CT上应串联一个保护电阻,以保护发射极B1不受到电损伤。
例如:电容CT大于10μF或VP大于30V时就应适当串电阻,这个附加电阻的阻值至少应取每微法CT串1Ω电阻。否则,较大的电容器放电电流会逐渐损伤单结管的EB1结,使振荡器的振荡频率或单稳电路的定时宽度随着时间的增长而逐渐发生变化。
1.3 在某些应用中,用一只二极管与单结管的基极B2或发射极E相串联,这样可改善温度稳定性及减小电源电压变化的影响。
1.4 单结管和硅可控整流器的抗辐照特性很差,不宜在辐照环境中使用。

型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67
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