大容量内存和串行接口扩展RFID标签的潜在用途

富士通半导体有限公司今天宣布，以炽热的芯片家族?新增RFID标签，MB89R112，为高频率芯片的RFID标签，其中包括9 KBFRAM的存储。炽热的家庭使用铁电存储器，或FRAM的快速写入速度，高频rewritability，耐辐射，低功率运行。新的芯片将在2012年8月开始样品数量。

MB89R112拥有一个行业领先的内存容量在HF频段RFID标签，以及一个串行接口SPI，开辟新的可能性RFID在嵌入式和工业部门。

富士通半导体开发FRAM的两个频段，以芯片为高功能的产品在HF波段（13.56兆赫）的RFID标签的UHF频段（860至960 MHz），自2004年以来，它已成为炽热的家庭提供。今天，其产品可广泛的应用范围，包括工厂自动化及保养工程业的优势，采取在数据载体标签芯片的FRAM的快速写入速度和内存容量高，医疗和制药行业，抵受伽玛芯片辐射和电子束和嵌入式应用的串行接口芯片。

除了 ??这些用途中，出现一个新的需要更大的内存容量和连接RFID作为一种方法来改变产品的运行参数，无线或无线捕捉分布在环境因素的日志s到传感器和微控制器的能力。这些功能将有利于在汽车和电子制造业的生产控制，飞机，道路，建筑和公共工程，以及维护应用。

富士通半导体回应这方面的需求，为MB89R112芯片的RFID标签，其中包括一个串行接口，SPI和9 KB的内存容量，没有发现任何竞争产品为HF频段金额。该MB89R112被设计作为近场被动的RFID行业标准符合ISO/ IEC 15693。该产品将在2012年8月开始在样品数量。

炽热的家庭MB89R112除了意味着该产品线目前包括HF频段芯片容量从256字节的范围涵盖至9 KB，和超高频波段的芯片覆盖范围从4 KB到64 KB。此外，为嵌入式应用的串行接口芯片，该行目前包括4 KB的UHF频段的芯片和9 KB HF带芯片。连同其各种微控制器产品线，富士通半导体能满足几乎任何需要。

的特点MB89R112
1。业内领先的内存容量在HF波段的RFID
产品包括8 KBFRAM的，可用在HF频段RFID芯片操作系统中定义的ISO/ IEC15693的最大密度。9 KB，8 KB是使用结构为256块，每块，它允许读，写操作访问整个8 KB的区域定义32字节的用户内存，可用的ISO/ IEC 15693。写作8 KB的数据大约需要4秒，高速运转比在产品使用E2PROM的六倍。更多的数据提供RFID标签后，它将使更多的高效利用，可追溯性的产品生命周期管理，从生产到物流，使用和处置，或录音设备现场维护日志数据记录仪等应用。

2。嵌入式应用的SPI串行接口，
该产品包括一个连接到微控制器的SPI串行接口。因为用户在内存中的8 KBFRAM的可通过微控制器的SPI访问，共享内存区域可以被用来作为一个数据记录器，也可以用来作为改变微控制器的运行参数的参数区域。作为例子，这可以用来记录读数的物流环境，检测设备错误，改变电子显示屏，以更改传感器阈值，更改固件设置，并在其他许多新颖，以前高不可攀的创新用途。