据日经BP社报道，台积电（TSMC）日本地区技术顾问兼销售主管石原宏日前在东京举行的业务战略说明会上发表演讲时透露，台积电将从2007年第2季度（4～6月）开始扩展采用65nm工艺制造的DRAM混载LSI的产品群。这样除了06年第2季度开始生产的面向便携设备的低功率（LP）产品基础之外，面向PC和家电等的通用（GP）产品也将实现量产。

据称，台积电表示自05年开始供应90nm产品以来，DRAM混载LSI的需求“迅速增长”。与90nm产品相比，65nm产品的芯片面积可减小一半，因此，可混载的DRAM的容量将由90nm的64Mbit增至128Mbit，达到原来的2倍。

另外，该公司将于08年开始量产45nm的DRAM混载LSI，并计划于08年第3季度（7～9月）开始生产通用产品。石原宏表示，如果采用45nm工艺，低功率产品也可实现400M～500MHz的高速工作。