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摘要：据EE Times网站报道，Samsung Electronics Co. Ltd.日前宣称其开发了业内第一款60纳米工艺的2G DDR2 DRAM产品。 该公司称，与80纳米 2G DDR2产品相比，新产品的速度提高了20％，达到每秒800M。 此外，和现有的系统存储方案相比，新产品提供了双倍的存储能力，包含的元件数量也大大减少。 据悉，该产品将在年内量产。 相关链接（英文）：http://ww
据EE Times网站报道，Samsung Electronics Co. Ltd.日前宣称其开发了业内第一款60纳米工艺的2G DDR2 DRAM产品。
该公司称，与80纳米 2G DDR2产品相比，新产品的速度提高了20％，达到每秒800M。
此外，和现有的系统存储方案相比，新产品提供了双倍的存储能力，包含的元件数量也大大减少。
据悉，该产品将在年内量产。
相关链接（英文）：
http://www。eetimes。com/rss/showArticle。jhtml?articleID=201805778&cid=RSSfeed_eetimes_newsRSS
| 型号 | 厂商 | 价格 |
|---|---|---|
| EPCOS | 爱普科斯 | / |
| STM32F103RCT6 | ST | ￥461.23 |
| STM32F103C8T6 | ST | ￥84 |
| STM32F103VET6 | ST | ￥426.57 |
| STM32F103RET6 | ST | ￥780.82 |
| STM8S003F3P6 | ST | ￥10.62 |
| STM32F103VCT6 | ST | ￥275.84 |
| STM32F103CBT6 | ST | ￥130.66 |
| STM32F030C8T6 | ST | ￥18.11 |
| N76E003AT20 | NUVOTON | ￥9.67 |