据DigiTimes网站报道，MLC(Multi-Level Cell)技术2年前在NAND型闪存(Flash)产业掀起一阵波涛，新帝(SanDisk)和东芝(Toshiba)阵营一路领先态势，让三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)吃足苦头，经此教训，各厂对于下一代x3(3-bit-per-cell)技术均不敢轻忽，纷纷掀起卡位战，新帝和东芝阵营可能再度抢得头香，三星预计2008年推出，海力士获新帝授权后，尚未有确切量产时间表，至于英特尔(Intel)亦不会缺席，然至今还未表态。

过去NAND Flash每年成本下降幅度都约在40%，带动NAND Flash价格快速下滑，值得注意的是，受到工艺难度提升及性能递减影响，自2006年起这样的成本下降法则已明显被打破，然这亦促使各NAND Flash大厂兴起下一代技术x3追逐战。

内存业者表示，2年前NAND Flash市场由SLC(Single-Level-Cell)转到MLC时，新帝和东芝抢先量产MLC，使得晚1年量产的三星背负不小压力，甚至发生三星承诺给苹果(Apple)iPod的NAND Flash是MLC芯片，但因工艺良率有问题，最后只能以成本较高的SLC交货给苹果。

由于MLC是在1个内存cell里放入2个位信息量，而x3技术则是在1个内存cell中放入3个位，成本可进一步下降，未来追逐NAND Flash生产成本持续下降，工艺微缩成本将愈趋明显，x3或x4技术绝对是主流趋势。不过，从SLC世代技术到MLC世代，NAND Flash成本下降约50%，然从MLC转到x3技术，或是x3到x4世代，成本下降速度恐不会这么快。

目前新帝和东芝阵营拥有技术和专利优势，在x3技术极有机会抢得头香，最先导入量产和出货；而根据三星Flash Day所揭露的计划，x3技术将于2008年问世，有着MLC前例在先，三星这次绝对不敢轻忽；至于海力士日前已获得新帝授权采x3技术生产，然目前海力士还未公布量产时刻表；英特尔方面亦未宣布量产时间点，然x3技术大战，依照英特尔技术实力，绝对不会缺席。

此外，研究机构Web-Feet Research预估，2012年起大部分NAND Flash大厂都将导入x3技术，届时x3技术市占率将达52.8%，成为NAND Flash市场主流，MLC型产品则占25.4%，至于更新世代的x4(4-bit-per-cell)技术占16.6%，SLC技术则只占4.4%。