据EETimes网站报道，英特尔表示计划将在2007年上半年向客户推出90纳米128M相变内存样品，在2007年底前达到量产。

相变内存技术结合了DRAM内存的高速存取和闪存在断电之后仍可以保存信息的优点，因此有望在未来同时取代DRAM和闪存这两种技术。通常被成为PCM或相变RAM的这种技术，是通过加热的方法改变硫属化物玻璃（chalcogenide glass）的晶体状态，从而实现信息的存储。据悉，英特尔和意法半导体（STMicroelectronics）共同开发了这种内存。

英特尔闪存部门首席技术官Ed Doller声称，即将推出的相变内存的读写速度至少将高出Flash闪存1000多倍，而能耗只有当前闪存的一半。此外，这种芯片还可以在现有的数据上覆盖写入新数据，而传统的闪存则必须首先删除原有的数据才能写入新数据。

虽然目前该技术的成本还要远远高于传统的DRAM和闪存，不过Ed Doller预计，随着时间的推移，PCM的价格将会降低下来。

据悉，英特尔首先将把该技术应用于手机平台，如今绝大多数市面上流行的手机都在使用NOR闪存来存储操作系统和用户数据。

韩国三星电子去年九月制造出一个512Mb变相内存原型，该产品按计划将在2008年投产。去年十二月，IBM就自己变相内存计划的发布了一份研究报告，声称这种技术将为Flash闪存敲响丧钟。去年九月，英特尔展示了其第一个基于90纳米技术的128Mb相变产品原型。

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