据EE Times网站报道,美国SanDisk公司与韩国第二芯片制造商海力士(Hynix)半导体公司正在计划建立合资公司，共同研发制造基于four-bit-per-cell x4闪存技术的NAND闪存系统。

另外，SanDisk与海士力两家公司达成了交叉许可协议，从而允许两家公司分享各自的专利技术。

两家公司将在合资企业中投入相同的资金，海力士公司将负责生产过程。但文件并没有透露相关细节，也没有说明双方的投资金额。

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