据eNet硅谷动力报道，全球闪存巨头韩国三星电子公司近日宣布，已经利用30纳米半导体工艺制造出了64GB闪存芯片。这是全球第一块64GB的NAND闪存芯片。

三星表示，他们利用30纳米的最先进的半导体工艺研制了这种高容量的闪存芯片。目前，该公司在普通闪存芯片的制造中一般采用50纳米工艺。

三星在一份声明中表示，64GB产品意味着闪存行业在容量方面又跨越了一步。高容量闪存将满足日益膨胀的消费电子产品对于存储介质的需求。64GB的闪存芯片属于全世界首创。它的问世，也是闪存行业连续八年让容量翻倍，也是连续七年在芯片制造工艺上获得提升。

三星称将在2009年开始量产这种高容量闪存芯片。

众所周知的是，闪存在供电取消之后仍然可以保存数据，和硬盘相比稳定性更高，功耗也越少，目前被广泛用于包括音乐播放器、手机、数码相机在内的消费电子产品。多家公司甚至已经生产出可以用于电脑的闪存混合硬盘。业界普遍认为，随着闪存价格不断下降，未来硬盘将逐渐被闪存所取代。

需要指出的是，去年，三星宣布生产出了32GB容量的闪存芯片，当时采用的是40纳米的半导体制造工艺。公司发言人说，三星将在明年量产32GB的闪存芯片。

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