ASM International N.V.和 Sigma-Aldrich子公司SAFC旗下的SAFC Hitech近日宣布针对进阶超介电常数绝缘层(advanced Ultra High-k insulators)之特定原子层沉积(ALD)原料签订认证製造厂商与合作协定。 该协定提供化学原料之认证标準、特定ASM? ALD 专利之授权许可，以及针对这些化学原料的行销与进阶开发合作关係。

最新开发的 “环戊二烯”(cyclopentadienyl) 材料能够让次世代以鍶(Strontium)和钡( Barium )為基础的超高介电常数绝缘层具备超过100的介电常数。相较之下，目前量產的以鋯( Zirconium) 和 鉿(Hafnium )為基础的高介电常数绝缘层，其介电常数则低於30至40。具较高介电常数的绝缘层能够让装置製造厂商為DRAM记忆体晶片生產更小的电容，和替微处理器生產更小的晶体管。

“我们看到在晶片製程当中生產与整合新材料的作法进一步推动了摩尔定律。”ASM的科技长暨研发部门总监 Ivo Raaijmakers博士表示，“像这样的合作协定将让我们能够更有效率地开发新材料，并且在供应链上做好準备，以即时在製程当中导入超高介电常数材料。”
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“SAFC Hitech和 ASM的研究团队已经密切合作了相当长的时间，并共同致力於此等级环戊二烯材料的评估与流程开发。” SAFC Hitech研发部门总监Peter Heys博士补充道，“这样的合作產出了高品质ALD的原料。我们现在正努力扩大鍶与钡超高介电常数来源前驱物的大量製造生產。现在的目标是要让產品数量得以因应2011年与未来的预估需求、符合ITRS產品蓝图的需求，以及ASM 和SAFC Hitech 的规划。”

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