东京 - 先进半导体解决方案的主要供应商，瑞萨电子公司（TSE：6723），今天宣布在其第七代绝缘栅双极晶体管（13新产品的IGBT）与业界领先的高性能阵容。新的IGBT的include RJH-为650V和RJP1CS的系列1250V / RJP65S系列。在新的IGBT S是电源，交流电源转换成直流系统中使用的半导体设备和处理，如太阳能发电和工业电机的功率调节器（电源转换器），高电压和大电流的应用设计。第七代的技术，基于增强的薄晶圆加工，集之间的低传导损失权衡，开关损耗和鲁棒性的能力，承受短路的条件。

以前的第6代技术，600V和1200V系列产品相比，第七代的组合具有较高的额定电压650V及1250V解决低温性能要求和过电压阻断能力。

瑞萨的IGBT S是合适的电机控制应用。在这种情况下，设备短路能力是设计的关键选择参数。配备110μs的额定短路耐受性，使其适合在通用汽车的第七代IGBT系列。

近日，为保护环境及其他因素的关注，促使需要改善的电气设备的能源效率，以及对清洁能源，如太阳能和风力发电的持续转移。这种努力，以提高能源效率都得到了蓬勃的处理，如太阳能逆变器，水喷射泵，大电流的逆变器控制电机，高电压，大电流设备领域。这促使从直流到交流电源转换为这种类型的设备中使用的IGBT的产品的需求大大减少损失。然而，有一个权衡之间的饱和电压（注1），这是减少损失的关键，在处理大电流的设备所需的高短路耐受。它一直难以实现低损耗，具有很高的短路耐受10微秒左右，这被认为是必不可少的应用，如马达驱动器（注2）。作为回应，瑞萨开发出这些高性能IGBT小号。

主要特点的新的IGBT小号：

1）降低饱和电压为1.6 V?1250 V版本更好的电源效率为650 V，版本和1.8 V

独家超薄晶圆技术减少至1.6 V，1.8 V（典型值）瑞萨早期同类产品为650 V，版本（典型值）和1.8伏的饱和电压为1250 V版本从2.1至五，一滴约12％和15％，在每一个案件。这样可以减少功率损耗，并有助于提高工作效率。

2）高10微秒短路耐受更高水平的可靠性

高的短路耐受性，在处理大电流的应用至关重要，已经从8微秒（μs）可比早期瑞萨产品的范围，以改善优化细胞结构技术10μs或以上。这可确保出色的可靠性和强大的性能，如太阳能逆变器的功率调节系统。

3）开关速度更快

反向传输电容（CRES）（注3）已降至约10％，与早期的瑞萨产品相比，通过优化设备的表面结构。这有助于更快的开关，使人们有可能建立更高效的电源转换电路。

这些改进有助于降低功率损耗和更稳定的应用，如广泛应??用于太阳能逆变器或工业用变频器控制电机在大电流逆变器模块电路的三相逆变器的操作。

瑞萨效益的客户提供整体解决方案，结合微控制器（MCU类比及电源装置）。新的高性能的第七代IGBT产品在其类别的世界最佳的功率器件之间的地方。它们构成了瑞萨功率器件阵容的核心，公司计划推出一系列前进中的新产品。

瑞萨还计划推出套件解决方案组成的新的增强线IGBT的产品单片机与瑞萨RL78和接收家庭为电机和逆变器控制和在其他组合中，功率器件驱动光耦合器。瑞萨还准备安装新的参考板的IGBT产品，以支持客户的套件评估和系统设计。

航运为新格式的IGBT产品是晶圆/芯片和TO-247A封装RJH65S系列。

价格和供货
的瑞萨13新样品出货的IGBT产品，包括为650V 的RJH- / RJP65S系列和“为1250V RJP1CS系列，都预定在2012年7月开始，售价在43亿美元650V RJP65S06DWA单位和美元5.0分的1250V RJP1CS06DWA单位。批量生产预计在2012年9月开始，预计将达到每月50台的规模由2013年4月。