加利福尼亚州的硅谷-阿尔法和欧米茄半导体有限公司（星光大道）宣布的AON6290释放，在旗舰装置新100V AlphaMOS，?（?马鞍山?）中压组合。新产品扩大AOS的中等电压MOSFET组合，并增强其高性能电源解决方案。AON6290是非常适合广泛的应用，推动效率的限制，例如，在电信和工业的DC / DC转换器的一次侧和二次侧开关的DC / DC和AC / DC转换器的二次侧同步整流，油料用于电信系统的模块。

AON6290结合行业领先的电阻快速开关性能。该设备的电阻比上一代产品低68％，比领先的100V今天在市场发现的设备低5％。

此外，AON6290提供了出色的开关性能与关键的数字值得为RDS的* QG的RDS*连续供墨系统和RDS的COSS是5％，3％和50％，比目前的主要竞争对手更好，分别。这一业绩的好处是电源设计者不需要妥协的交换性能，以获得低导通电阻的好处。这些器件可在一个紧凑的尺寸DFN5×6绿色包装是100％的Rg和测试研究所。“交换和传导性能都需要在电源设计优化，以最大限度地提高整体系统效率。张，高级产品营销经理星光大道“斯蒂芬说。“AON6290提供与业界领先的两全其美的最佳RDS低栅极电荷，输入电容，输出电容的组合。“

AON6290技术概要

• 100V N沟道MOSFET在DFN5×6包
• 典型的RDS= 3.8mOhms（业界最低）
• 在VGS= 10VRDS的<4.6毫
• COSS= 415 pF的典型
• QG（10V）= 63 nC的典型
• 最低的RDS*连续供墨数字的优点在市场
• 最低的RDS*COSS图的优点在市场