ASM International N.V. 宣佈其已成功开发一项高速原子层沉积制程，能够为45nm high-K 栅极制程提升一倍氧化鉿(HfO2) 薄膜的产量，进而延伸其於关键原子层沉积(ALD)市场的领导地位。

新的高速ALD制程是专门设计在ASM的Pulsar制程模组上运作，并可使用既有的反应炉设备设计，并透过专利的制程最适化技术达成产能的提升。新的制程已经在多间客户工厂的製造环境当中实地运作，并且在不对薄膜和装置效能产生负面衝击的前提下，提升超过一倍的沉积率。此制程已获实证可延伸至32nm制程节点，并对产能带来同样的效益。

“ALD制程令人满意的原因是因为它能够提供绝佳的流程控制、薄膜一致性和纯度，”ASM电晶体产品部门产品经理Glen Wilk指出，“由於沉积率可以增加一倍以上，因此我们现在於32 nm 栅极电介质所能达成的产量已经可和MOCVD沉积法相彷，但同时又可以维持ALD层的品质。 Pulsar ALD 反应炉是业界在生产鉿基high-k栅极电介质方面的翘楚，而这项产能提升的成果将让我们在22nm以上的领域也取得领导地位。”