外界一直认为东芝(Toshiba)会从2011年第3季启动18吋晶圆开发计画，但这项计画很有可能延期。老早表明要全速进军18吋晶圆技术的三星电子(SamsungElectronics)，在整体业绩表现不佳的状况下，态度亦转为慎重。
　　
       半导体晶圆直径从2吋一路演进到现行最大的12吋，未来18吋晶圆投产后，1片18吋晶圆产出的晶片数，将是12吋晶圆的2倍；换言之，晶圆尺寸越大，越有助于降低积体电路的制造成本。
　　
       因此台积电、英特尔(Intel)及三星等3家半导体巨头，从2003年起就开始发展大尺寸晶圆，企图挤下资金不够雄厚的业者。2008年3家公司发表共同声明，说2012年将是半导体产业进入18吋晶圆制造的适当时机。
　　
       东芝向来以微细化制造技术见长，对大尺寸晶圆始终采取保留态度，但NANDFlash领域的头号劲敌三星，在发表进军18吋晶圆技术之后，东芝迫于情势只好跟进。业界猜测东芝2011年第3季将开始会有具体动作。
　　
       然面对2011年连续2季亏损，三星改以减少产能及资本支出因应。东芝见三星缩手，开始思考18吋晶圆产线的必要性，倾向省下投产经费，专注于细微化制程的研发。
　　
       事实上，以18吋晶圆投产能够降低的?言说A远超过新世代制程。曝光设备现正面临20奈米世代的瓶颈，极紫外光(ExtremeUltraviolet；EUV)技术成为众所期待的新星。EUV是下一代半导体光刻技术，目前已经有多家企业引进EUV微缩制程机台，但购置机台费用相当高昂，而且效率不佳。业界人士表示，如果细微化制程走到死胡同，大尺寸晶圆就是厂商唯一的选择，这样看来18吋晶圆的量产时期订为2015年绝对不算太早。
　　
       然而发展18吋晶圆，就代表设备商必须大手笔投资研发，花费最多将达到1,000=美元，负担十分沉重。
　　
       2011年1月，台机电宣布启动18吋晶圆厂投资计画，预计2013年导入试产线，2015年以20奈米开始量产。英特尔正在兴建18吋厂，地点属意该公司先进制程的发源地美国奥勒冈州，预定2013年完成，看来要达成2012年开始量产的目标，已经是不可能的任务，如果三星和东芝再抽腿，半导体业界迈进18吋晶圆的速度将更为缓慢。