宾夕法尼亚、 MALVERN — 2011 年 10 月 12 日 — 日前， Vishay Intertechnology, Inc. （ NYSE 股市代号： VSH ）宣布，推出新系列 600V 和 650V n 沟道功率 MOSFET---E 系列器件。新产品在 10V 下具有 64m Ω～ 190m Ω的超低最大导通电阻，以及 22A ～ 47A 的额定电流范围。 E 系列 MOSFET 基于 Vishay 的下一代 Super Junction 技术，具有超低栅极电荷，以及较低栅极电荷与导通电阻乘积，该乘积是衡量用在功率转换应用中的 MOSFET 的重要优值系数。

与前一代 S 系列器件相比，新的 E 系列技术使导通电阻降低了 30% 。根据应用的不同，这些产品可以提供更高的功率密度，使转换效率更上一层楼。由于这个新平台具有更低的输入电容，栅极驱动损耗也减少了。

今天发布的 12 E 系列器件包括 4 款 22A 的 MOSFET 和 4 款 30A 的 MOSFET ，在 10V 下的导通电阻分别为 190m Ω和 125m Ω。 22A 和 30A MOSFET 均提供 TO-220 、 TO-220 FullPAK 、 TO-247 和 TO-263 (D²PAK) 封装。此外，在 10V 下导通电阻为 64m Ω的 47A 器件采用 TO-247 封装，导通电阻为 150m Ω的 24A 、 650V MOSFET 提供 TO-220 、 TO-263 (D²PAK) 和 TO-247 封装。

E 系列的超低导通电阻意味着极低的导通和开关损耗，在功率因数校正、服务器和通信电源系统、焊接、等离子切割、电池充电器、高强度放电 (HID) 照明、荧光灯镇流器照明、半导体固定设备，太阳能逆变器和感应加热等高功率、高性能的开关模式应用中能够节约能源。

器件经过精心设计，可承受雪崩和整流模式中的高能脉冲，并且保证达到通过 100% UIS 测试所要求的各种极值。 MOSFET 符合 RoHS 指令 2002/95/EC 。

新款功率 MOSFET 现可提供样品，量产订货的供货周期为十六周到十七周。

VISHAY 简介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www、vishay、com。