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关键词:
1270 08-10
在N和P通道配置中,该新型55V平面器件可作为标准和逻辑电平栅极驱动MOSFET来使用,提供的最大导通电阻 (Rds(on)) 低达8mΩ。TO-220
关键词:
290 08-10
转速公式:n=60f/P (n=转速,f=电源频率,P=磁极对数) 扭矩公式:T=9550P/n T是扭矩,单位N·m P是输出功率,单位KW n是电机转速转速公式:n=60f/P (n=转速,f=电源频率,P=磁极对数) 扭矩公式:T=9550P/n T是扭矩,单位N·m P是输出功率,单位KW n是电机转速。电机的“扭矩”,单位是 N·m(牛米)计算公式是 T=9550 * P / n 。P是
关键词:
620 09-30
转速公式:n=60f/P (n=转速,f=电源频率,P=磁极对数) 扭矩公式:T=9550P/n T是扭矩,单位N·m P是输出功率,单位KW n是电机转速转速公式:n=60f/P (n=转速,f=电源频率,P=磁极对数) 扭矩公式:T=9550P/n T是扭矩,单位N·m P是输出功率,单位KW n是电机转速.
关键词:
194 09-30
转速公式:n=60f/P (n=转速,f=电源频率,P=磁极对数) 扭矩公式:T=9550P/n T是扭矩,单位N·m P是输出功率,单位KW n是电机转速转速公式:n=60f/P (n=转速,f=电源频率,P=磁极对数) 扭矩公式:T=9550P/n T是扭矩,单位N·m P是输出功率,单位KW n是电机转速
关键词:
360 10-01
获取时间有几种编程方法:1#include #include main(){time_t t;struct tm *p;time(&t);p=gmtime(&t);printf("Year :%d\n",1900+p->tm_year);printf("Month :%d\n",1+p->tm_mon);printf("Day :%d\n",p->tm_mday);printf("Hour :%d
关键词:
1192 08-10
2N109 GE-P 35V 0.15A 0.165W | 2N1304 GE-N 25V 0.3A 0.15W 10MHz2N1305 GE-P 30V 0.3A 0.15W5MHz | 2N1307 GE-P 30V 0.3A 0.15W B602N1613 SI-N 75V 1A 0.8W 60MHz | 2N1711 SI-N 75
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636 08-10
当310V电压已经加在IPM模块的P-N端,而IPM不能正常工作时,首先测量模块P-N正反向电阻,用MF47型指针式万用表Rx1k挡,黑表笔接p端,红表笔按N端,测得正向电阻为无穷大(表针不动);反过来红表笔接P端,黑表笔接N端,测得电阻为9kΩ左右,说明模块输出电路正常。也可以分别测量P-U、P-V、P-W,U-N、V-N、W-N六个功率管的正反向电阻,测得结果应均为正向电阻无穷大,
关键词:
2285 08-10
根据掺入杂质性质的不同,杂质半导体可分为, P型半导体(或空穴型半导体)和N型半导体(或电子型半导体)两大类。这里"P"是指"正"的意思, "N"是指"负"的意思。(一)
关键词:
284 08-10