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恒忆相变存储器(PCM)前期体验项目(EAP)是专为有兴趣体验相变存储器技术的系统设计人员和软件工程师推出。立即下载该项目概述。由于现有存储器技术如RAM、闪存和EEPROM 上市较早，因此在设计中采用这些技术是理所当然的，而PCM是一款新型存储器，在具体设计使用其之前应进行评估。PCM所具备的创新技术特性能使您开发出
关键词：
28308-10
Flash大厂恒忆(Numonyx)，加入NOR Flash产品线，除有助于美光未来抢占MCP领域市占率外，原本恒忆和母公司英特尔(Intel)合作开发的相变化内存(Phase-Change Memory；PCM)技术，将成为这桩亲事的最大嫁妆，美光将因此跻身全球PCM技术阵营，与三星电子(Samsung Electronics)、IBM、旺宏共
关键词：
50408-10
三极管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放除夜系数特征频率管子类型901150V0.03A0.4W*150MHzNPN901250V0.5A0.6W**PNP901350V0.5A0.6W**NPN901450V0.1A0.4W
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277108-10
序号型号Pcm[W]Icm[A]Vceo[V]fT[MHz]封装用途说明生产厂商数据手册0012SA8570.50.5150140TO-92TV-VAPNPNIP0022SA928A0.25120TO-
关键词：
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日前，恒忆召开媒体发布会，发布其全新系列相变存储器产品，该系列产品采用被称为相变存储(PCM)的新一代存储技术，具有更高的写入性能、耐写次数和设计简易性，适用于固线和无线通信设备、消费电子、PC和其他嵌入式应用设备PCM原理PCM的原理是利用硫族化合物在晶态和非晶态之间相互转化时所表现出来的导电性差异来测量电阻而读取数据，储存数据则通过加热的方式改变硫族化合物的状态实现。由于其纪录方式是单纯的物理变化，没有
关键词：
146208-10
