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Z8400BPS首标器件编号速度封装温度范围空白:C:陶瓷;E:(-40~85)℃;2.5MHz;D:陶瓷浸渍;M:(-55~125)℃A:4..0MHz;P:塑料;S:(0~70)℃。 
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425 08-10
安捷伦科技公司日前宣布,用于下一代移动计算应用的U4431A MIPI M-PHY协议分析仪增加了SSIC和 CSI-3支持。新增支持能够帮助研发和制造工程师深入分析MIPI M-PHY设计。CSI-3(数字相机串行接口)将D-PHY物理层的CSI-2协议提升至更高性能的M-PHY。SSIC(超高速USB 芯片互连)允许USB支持的功能在M-PHY移动系统上运行。
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416 08-10
d波(Carrier)?l率?x?窦拜d波信??之有效?L期(Duty Cycle)?x?瘢?使其能?m用於各型之?b控器,因此?O?m用於?f用型?
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748 08-10
表1 地址下降沿检测指令说明表 参数 数据类型存储器区域 说明 <地址1> BOOLI、Q、M、L、D <地址1>是被检测下降沿变化的 信号<地址2> ( M_BIT)BOOLQ、M、D <地址2>是用来指定“沿变化” 的存储器位,该位保存的是上一次NEC的信号状态。
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173 09-30
单独按Windows:显示或隐藏 开始功能表 Windows+BREAK:显示系统属性 对话框 Windows+D:显示桌面 Windows+M:最小化所有窗口 Windows+Shift+M:还原最小化的窗口 Windows+E:开启资源管理器 Windows+F:查找文件或文件夹 Windows+CTRL+ F:查找电脑 Windows+F1:显示 Windows 帮助
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478 04-13
xml:namespace prefix = m ns = "http://www.w3.org/1998/Math/MathML" /> U DS 下,栅-源电压 U GS 与漏极电流 I D 之间的关系当 U GS =-1V时,此时的 I D 称为饱和漏极电流 I DSS ,使 I D 接近于零的栅极电压称为夹断电压 U P 。如图
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233 10-01
比较指令有比较(CMP)、区域比较(ZCP)两种,CMP的指令代码为FNC10,ZCP的指令代码为FNC11,两者待比较的源操作数[S·]均为K、H、KnX、KnY、KnM、KnS、T、C、D、V、Z,其目标操作数[D·]均为Y、M、S。
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674 10-20
CT74193功能表(一)、逻辑符号D®A:高位®低位CPU ,CPD :双时钟输入R: 异步清除,高电平有效LD: 异步预置,低电平有效QD®QA:高位®低位®加到最大值时产生进位信号QCC=0®减到最大值时产生借位信号QDD=0(二)、 CT74193功能扩展—— 连接成任意模M的计数器1、接成M<16的计数器例1:用CT74193设计M=
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2095 10-01
查询手机的软件版本(SOFtwareRevision)查询更多的手机信息检查8250/8210是否为锁频机启动增强型全速率(EFR)启动半速率(HFR)查询你的SIM卡是否支持时钟终止功能(CLOCkStopPINg
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338 08-10
根据材料力学的理论,转轴在转矩M的作用下,其横截面上最大剪应力与轴截面系数W和转矩M之间的关系为 (1) (2) 式中,D为轴的外径;d为空心轴的内径。
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352 10-01