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【用 途】 功率场效应管【性能 参数】N沟 500V 12A 36W RDS(on)=0.555 带阻尼【互换 兼容】F12N50C-E3
关键词:
433 08-10
【用 途】 功率场效应管【性能 参数】N沟 500V 12A 208W RDS(on)=0.555 带阻尼【互换 兼容】SiHB12N50C-E3
关键词:
367 08-10
【用 途】 功率场效应管【性能 参数】N沟 500V 12A 208W RDS(on)=0.555 带阻尼【互换 兼容】B12N50C-E3
关键词:
417 08-10
将器件尺寸扩展到0406和1225,为汽车电路提供增强的热循环性能,功率提高到2.0WVishay 推出采用0406和1225外形尺寸的新器件--- RCL0406 e3和RCL1225 e3,扩充其RCLe3系列长边端接厚膜片式电阻。对于汽车电子电路和通用产品,RCL0406 e3和RCL1225 e3提供了增强的热循环性能,功率等级分别提高到0.25W和2.0W。 2014-7-2 13:1
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290 08-10
更高端的“xeon e3-1290”又被迅速曝了出来。日本厂商japan computing systems近日针对xeon e-1200/core i3-2100系列鸿喜电子面向入门级单路服务器与工作站的xeon e3-1200系列处理器刚刚发布,新款高端型号就曝光了
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359 08-10
Vishay推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3,该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的
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467 08-10
(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3,该MOSFET在10V
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315 08-10
英特尔日前在上海召开“至强”E3(代号Bromolow)处理器发布会,展示了以“至强”处理器E3家族产品为核心的服务器产品和解决方案。 “至强”处理器E3家族产品是一款入门级的服务器,相比上一代服务器和桌面系统,“至强”E3处理器拥有更高的性能,可满足苛刻的工作负载需求,其计算能力更强大、故障更少、信息访问更容易,用户可提高工作效率,更快地对业务做出响应基于“至强E3”处理器的服务器能够保
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356 08-10
(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款500V N沟道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比,该器件的开关速度和损耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3适用于ZVS拓扑,具有低至63ns的trr和114nC的Qrr,栅极电荷为34nC。 SiHF8N50L-E3改善
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281 08-10
实现高电流FPGA和处理器电源的功率密度更大化TI新型SWIFTTM转换器可提供高达160A的输出电流,同时增强通讯、
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420 03-11