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首页> 文章搜索> TGL41-24A-E3/96

搜索到 TGL41-24A-E3/96 的相关文章 共 2259 条

  • 【技术资讯】英特尔在上海发布“至强”E3处理器

    英特尔日前在上海召开“至强”E3（代号Bromolow）处理器发布会，展示了以“至强”处理器E3家族产品为核心的服务器产品和解决方案。　　　　“至强”处理器E3家族产品是一款入门级的服务器，相比上一代服务器和桌面系统，“至强”E3处理器拥有更高的性能，可满足苛刻的工作负载需求，其计算能力更强大、故障更少、信息访问更容易，用户可提高工作效率，更快地对业务做出响应基于“至强E3”处理器的服务器能够保

    关键词：

    356 08-10

  • 【新品播报】Vishay推出500V N沟道功率MOSFET

    （NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款500V N沟道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的开关速度和损耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3适用于ZVS拓扑，具有低至63ns的trr和114nC的Qrr，栅极电荷为34nC。 SiHF8N50L-E3改善

    关键词：

    281 08-10

  • 【技术资讯】Vishay推出500V N沟道功率MOSFET：SiHF8

    Vishay推出500VN沟道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款500VN沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3SiHF8N50L-E3适用于ZVS拓扑，具有低至63ns的trr和114nC的Qrr，栅极电荷为34nC。SiHF8N50L-E3改善了反向恢复特性，从而能够更好地抵御EMI，实现更高的效率，同时避免出现导致MOSFET烧毁的内部体二极管恢复故障。Vishay今天推出的新MOSFET

    关键词：

    606 08-10

  • 【新品播报】BM081S

    【用　途】 场效应MOSFET半桥组件管 【性能 参数】100V 24A 150W Ron=0.11Ω 【互换 兼容】

    关键词：

    196 08-10

  • 【新品播报】EUM081R

    【用　途】 场效应MOSFET半桥组件管 【性能 参数】100V 24A 300W Ron=0.11Ω 【互换 兼容】

    关键词：

    191 08-10

  • 【新品播报】EUM081RS

    【用　途】 场效应MOSFET半桥组件管 【性能 参数】100V 24A 300W Ron=0.11Ω 【互换 兼容】

    关键词：

    252 08-10

  • 【新品播报】ESM089S

    【用　途】 场效应MOSFET独立组件管 【性能 参数】100V 24A 500W Ron=0.11Ω 【互换 兼容】

    关键词：

    281 08-10

  • 【新品播报】ESM081S

    【用　途】 场效应MOSFET半桥组件管 【性能 参数】100V 24A 500W Ron=0.11Ω 【互换 兼容】

    关键词：

    211 08-10

  • 【新品播报】ESM082R

    【用　途】 场效应MOSFET全桥组件管 【性能 参数】100V 24A 500W Ron=0.11Ω 【互换 兼容】

    关键词：

    143 08-10

  • 【新品播报】EFM089

    【用　途】 场效应MOSFET独立组件管 【性能 参数】100V 24A 1000W Ron=0.11Ω 【互换 兼容】

    关键词：

    262 08-10

  • 【新品播报】EFM081RS

    【用　途】 场效应MOSFET半桥组件管 【性能 参数】100V 24A 1000W Ron=0.11Ω 【互换 兼容】

    关键词：

    145 08-10

  • 【新品播报】EFM082R

    【用　途】 场效应MOSFET全桥组件管 【性能 参数】100V 24A 1000W Ron=0.11Ω 【互换 兼容】

    关键词：

    215 08-10

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