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首页> 文章搜索> TGL41-39A-E3/96

搜索到 TGL41-39A-E3/96 的相关文章 共 2085 条

  • 【新品播报】SiHP12N50C-E3

    【用　途】 功率场效应管【性能 参数】N沟500V 12A 208W RDS(on)=0.555 带阻尼【互换 兼容】P12N50C-E3

    关键词：

    453 08-10

  • 【技术资讯】E3和i5哪个好？i5处理器与E3处理器区别对比介绍

    小编发现，近日有不少热心网友在网络上问到了一个这样比较有代表性的问题：关于E3和i5处理器哪个好？E3和i5哪个好 i5与E3处理器对比在目前中高端主流装机中，选用最多的是i5和E3处理器，其中散片i5和E3-1230价钱差不了多少，但E3性能却比i5强不少。从天梯图看，E3性能

    关键词：

    11323 05-10

  • 【技术资讯】E3-1230v5和i7-6700K哪个好?E3-1230v5和i7-6700K对比分析

    随着Intel六代Skylake处理器上市，目前六代代E3-1230 v5与i7 6700k新高端处理器都已经上市，不过E3-1230 v5神U只能支持C232芯片（X150）的主板，不支持六代100系列主板那么，E3-1230v5与i7-6700k哪个好呢？下面小编为大家带来了E3-1230 V5和i7-6700K对比，看看六代i7 6700K和E3-1230 v5都有

    关键词：

    341 05-10

  • 【新品播报】SiHF12N50C-E3

    【用　途】 功率场效应管【性能 参数】N沟 500V 12A 36W RDS(on)=0.555 带阻尼【互换 兼容】F12N50C-E3

    关键词：

    477 08-10

  • 【新品播报】B12N50C-E3

    【用　途】 功率场效应管【性能 参数】N沟 500V 12A 208W RDS(on)=0.555 带阻尼【互换 兼容】SiHB12N50C-E3

    关键词：

    413 08-10

  • 【新品播报】SiHB12N50C-E3

    【用　途】 功率场效应管【性能 参数】N沟 500V 12A 208W RDS(on)=0.555 带阻尼【互换 兼容】B12N50C-E3

    关键词：

    449 08-10

  • 【新品播报】Vishay推出增强热循环性能的新型车用电阻

    将器件尺寸扩展到0406和1225，为汽车电路提供增强的热循环性能，功率提高到2.0WVishay 推出采用0406和1225外形尺寸的新器件--- RCL0406 e3和RCL1225 e3，扩充其RCLe3系列长边端接厚膜片式电阻。对于汽车电子电路和通用产品，RCL0406 e3和RCL1225 e3提供了增强的热循环性能，功率等级分别提高到0.25W和2.0W。 2014-7-2 13:1

    关键词：

    323 08-10

  • 【新品播报】Xeon E3-1200

    更高端的“xeon e3-1290”又被迅速曝了出来。日本厂商japan computing systems近日针对xeon e-1200/core i3-2100系列鸿喜电子面向入门级单路服务器与工作站的xeon e3-1200系列处理器刚刚发布，新款高端型号就曝光了

    关键词：

    399 08-10

  • 【新品播报】超低导通电阻和栅极电荷的500V、12A N沟道功率MOSFET（Vishay

    Vishay推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的

    关键词：

    510 08-10

  • 【技术资讯】孔雀KQ47-39A彩电出现逃台

    　　测高频头VT端电压有2V范围的不稳定变化，断开高频头再测依旧。再测33V输入电压稳定，显然故障在调谐板，怀疑调谐电位器或频道转换开关接触不良，经查正常，表明调谐板线路间存在漏电。切断33V输入，再测VT仍有2V不稳定电压，清洗电路板无效。仔细分段检测，终于发现是调谐板上12V(频道指示灯用)铜箔走线与VT电压铜箔走线之间的板基有一处漏电。试用刀刻一槽，测其电阻已恢复无穷大

    关键词：

    322 08-10

  • 【新品播报】Vishay Siliconix 推出三款新型500V N沟道功率MOSFET

    （NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，该MOSFET在10V

    关键词：

    354 08-10

  • 【技术资讯】英特尔在上海发布“至强”E3处理器

    英特尔日前在上海召开“至强”E3（代号Bromolow）处理器发布会，展示了以“至强”处理器E3家族产品为核心的服务器产品和解决方案。　　　　“至强”处理器E3家族产品是一款入门级的服务器，相比上一代服务器和桌面系统，“至强”E3处理器拥有更高的性能，可满足苛刻的工作负载需求，其计算能力更强大、故障更少、信息访问更容易，用户可提高工作效率，更快地对业务做出响应基于“至强E3”处理器的服务器能够保

    关键词：

    391 08-10

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