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Vishay推出500VN沟道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款500VN沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3SiHF8N50L-E3适用于ZVS拓扑，具有低至63ns的trr和114nC的Qrr，栅极电荷为34nC。SiHF8N50L-E3改善了反向恢复特性，从而能够更好地抵御EMI，实现更高的效率，同时避免出现导致MOSFET烧毁的内部体二极管恢复故障。Vishay今天推出的新MOSFET
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57308-10
（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列长边接头厚膜贴片电阻 --- RCLe3。新电阻的外形尺寸为0612和1218，功率等级高达1.0W，可耐受高温循环。RCL0612e3和RCL1218e3通过了AEC-Q200 Rev. C认证，其宽大的端头实现了高功率耗散。在密集堆
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31308-10
（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款500V N沟道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的开关速度和损耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3适用于ZVS拓扑，具有低至63ns的trr和114nC的Qrr，栅极电荷为34nC。 SiHF8N50L-E3改善了反向恢复特性，从而能够更
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32708-10
今天Intel低调地发布了Skylake架构至强E3-1200 v5家族处理器，本来以为平民神器E3-1230后继有人，但有个天大的悲剧消息——Intel的至强E3处理器很有可能只能用在服务器级主板上，也就是说至强E3-1230 v3+H81/B85这样的黄金搭档要被Intel一刀砍死，服务器处理器就得搭配服务器级主板，就是这么霸道！
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29008-10
;;; 在多级放大电路中，随着SI4431DY-T1-E3级数的增加，其通频带变窄，且窄于任何一级放大电路的通频带。下面以两级共发射极阻容耦合放大电路为例，分析多级放大电路的通频带变窄的原因。
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212808-10
器件采用薄膜技术，具有低至±0.05％的容限，TCR低至±5ppm/K，外壳尺寸分别为0603、0805和1206Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型TNPUe3系列高精度薄膜扁平片式电阻Vishay的新型TNPUe3薄膜扁平片式电阻融合了TNPWe3产品成熟的可靠性与先进的精
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35308-10
CPU的选购，笔者今天就来简单介绍一下如何选购处理器产品，作为整个主机的核心硬件，CPU选购是非常重要的，首先要注意的就是千万不要相信某平台奸商所宣传的什么多核心至强处理器，目前比较新的至强系列处理器只有E3-1230V3、E3-1231V3、E3-1230V5及E3-1220V5。
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13605-13
xeone3-1200 v2系列将继承ivy bridge桌面版的一切特性，包括22nm新工艺、lga1155 socket h2封装接口、turbo boost 2.0动态加速、dx11图形核心(可能还会是仅限部分型号
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71108-10
Vishay推出新系列长边接头厚膜贴片电阻 --- RCLe3。新电阻的外形尺寸为0612和1218，功率等级高达1.0W，可耐受高温循环。RCL0612e3和RCL1218e3通过了AEC-Q200 Rev. C认证，其宽大的端头实现了高功率耗散。RCLe3系列的容差为1%
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