第三代昆仑芯明年初上市/Q2以来MLCC供应商持续控制产能降载/富士电子材料宣布扩产CMP研磨液

1、李彦宏：第三代昆仑芯明年初上市

第七届世界智能大会于5月18日至21日在国家会展中心(天津)举行，百度创始人、董事长兼首席执行官李彦宏在会上透露，百度昆仑芯前两代的产品已有数万片的部署，第三代会在明年的年初上市。

资料显示，昆仑芯1代AI芯片于2020年量产，在百度搜索引擎、小度等业务中部署数万片，是国内唯一一款经历过互联网大规模核心算法考验的云端AI芯片。搭载新一代架构XPU-R的昆仑芯2代AI芯片于2021年6月回片并当天点亮，8月量产发布，是国内首款采用GDDR6显存的通用AI芯片。

2、三星12纳米级DDR5 DRAM已量产

三星电子宣布其采用12纳米级工艺技术的16Gb DDR5 DRAM已开始量产。三星12纳米级工艺技术的开发基于一种新型高κ材料，与上一代产品相比，三星最新的12纳米级DDR5 DRAM功耗降低了23%，晶圆生产率提高了20%。最高可支持7.2吉比特/秒（Gbps）的速度，相当于每秒可处理大约两部30GB的超高清电影。

3、Q2以来MLCC供应商持续控制产能降载

据TrendForce统计，今年1-4月MLCC供应商总出货量为13590亿颗，同比减少34%。第二季度以来，由于品牌端与ODM订单需求起伏不定，加上降价压力不断，导致MLCC供应商持续控制产能降载，以维持供货、库存、价格三者间的平衡，在终端消费需求持续低迷的情况下，供应商减产降载恐成为短期常态。

TrendForce进一步表示，部分需求领域库存回补仍不敌消费市场低迷的压力，故买方对MLCC的拉货力道低且无法持续。展望第三季，尽管品牌厂与ODM仍寄望传统旺季能刺激需求复苏，但计算实质释出给供应商的MLCC预报订单量，成长幅度仍低，尚未看到传统旺季应有的表现。

4、东芯股份1xnm NAND Flash完成功能性验证

东芯股份披露最新调研纪要称，公司的SLC NAND Flash在28nm及24nm的制程上持续开发新产品，不断扩充 SLC NAND Flash 产品线，报告期内部分新产品已达到量产标准。先进制程的1xnm NAND Flash产品已完成首轮晶圆流片及首次晶圆制造，并已完成功能性验证。

NOR Flash产品在力积电的48nm制程上持续进行更高容量的新产品开发，目前512Mb、1Gb大容量NOR Flash产品都已有样品可提供给客户。此外，公司在中芯国际的NOR Flash产品制程从65nm推进至55nm，目前该制程产线已完成首次晶圆流片。

5、富士电子材料宣布扩产CMP研磨液

日本富士胶片株式会社近日官网披露消息称，拟投资150亿日元（约人民币7.68亿元）用于生产CMP抛光液以及光刻周边相关材料。新工厂计划在2026年春季开始稼动。

6、英国宣布与日本建立半导体合作伙伴关系

英国相关媒体5月18日报道，英国首相Rishi Sunak 将于周四访问东京期间宣布与日本政府建立“半导体合作伙伴关系”，因为英国寻求通过多元化芯片供应链来降低风险。该协议将成为英国和日本之间更广泛的“广岛协议”的一部分——涉及更密切的经济、安全、能源和技术合作。

建立合作伙伴关系之际，英国的管理政府定于周五最终公布其发展英国芯片行业的计划。据两位了解其内容的人士透露，这将包括政府在中期支出10亿英镑（约人民币87.42亿元）用于支撑从智能手机到汽车的所有现代技术的芯片。