摘要：美国诺发系统（Novellus Systems）成功开发出面向2Xnm以后工艺、基于溅射的铜布线技术。可在没有导入ALD（Atomic Layer Deposition，原子层沉积）和CVD（Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积）的情况下，形成高质量的铜晶种层(Seed Layer)。 　　诺发此次通过改良溅射中采用的等离子生成技术，在抑制了悬突（Overhang，嵌