先进的线性器件精密N沟道EPADMOSFET阵列是使用精密的??ALD的成熟匹配在工厂EPAD的CMOS技术。这些双单片器件提高增加的ALD110900A/ALD110900EPADMOSFET系列，提供更多的正向跨导和输出电导，特别是在非常低的电源电压。适用于低电压，低功耗小信号的应用中，ALD212900A/ALD212900具有零阈值电压，从而使电路设计与参考输入/输出信号GND在增强工作电压范围。

有了这些设备，带有多个级联级的电路可内置于极低的电源/偏置电压等级下使用。这些精密设备是多功能的设计成分为范围广泛的模拟小信号的应用，如电流镜，匹配电路，电流源，差分放大器的输入级，传输门，和多路复用器的基本构建块。他们也擅长在有限的工作电压的应用，如非常低的水平的电压钳和纳米电源常通电路。

产品特点

• 零门槛?VGS= 0.00V + /-0.01V
• VOS（VGS匹配）来为2mV / 10mV的最大值。
• 亚阈值电压（纳米功率）操作
• <100mV的最小。工作电压
• <1nA的最小值。工作电流
• <1NW最小。工作电源
• > 100,000,000:1工作电流范围
• 高跨导和输出电导
• 低RDS14Ω的
• 输出电流>50毫安
• 匹配和跟踪温度系数
• 紧批与批之间的参数控制
• 正，零和负的VGS的温度系数
• 低输入电容和漏电流