意法合资半导体公司（stmicroelectronics，st）日前已投产封装面积仅8mm×10mm的256mbit nand型闪存eeprom。封装为55引脚的vfbga。在引脚配置与包括该公司产品在内的现有nand型闪存eeprom保持兼容的同时，将封装面积减小了约20%。封装的配置高度仅1mm。主要面向以相机手机、低价数码相机和pda为主的封装面积有一定限制的便携终端等产品。目前已经开始供应样品。10万个批量购买时的单价为6.5美元。

　　利用最小加工尺寸为120nm的半导体技术生产。此次开发的内存集成有2048个容量16kb的单元块。各单元块以页面（512b+16spare byte）为单位进行读写。spare byte用于ecc和不良单元块识别。由于能够直接把保存在页面中的数据安排到其他页面中，因此能够将数据从不良单元块中移至正常单元块。擦除时间为2ms。各单元块的可擦写次数为10万次，数据保持时间为10年。工作电压为+1.8v或+3.0v。 　　st公司2004年涉足nand型闪存eeprom市场。准备将该公司原来擅长的nor型闪存eeprom与自主开发的应用处理器“nomadik”跟nand型闪存eeprom结合起来，“针对便携终端厂商的多样化要求提供最佳的内存系统”（st公司）。包括此次发表的产品在内，该公司目前提供的nand型闪存eeprom预计是由与之存在合作关系的韩国海尼克斯半导体（hynix semiconductor，原现代半导体）公司负责生产的。不过，st公司已经决定将和海尼克斯半导体共同在中国建设一家主要生产nand型闪存eeprom的专业内存制造厂，2006年开始在该厂量产。