vishay发布采用其新型 p 通道 trenchfet® 第三代技术的首款器件 --- si7137dp，该 20v p通道 mosfet 采用 so-8 封装，具备业内最低的导通电阻。

新型 si7137dp具有 1.9 mΩ（在 10 v 时）、2.5 mΩ（在 4.5 v 时）和 3.9 mΩ（在 2.5 v 时）的超低导通电阻。trenchfet 第三代 mosfet 的低导通电阻意味着更低的传导损耗，从而确保器件可以比之前市面上 p 通道功率 mosfet 更低的功耗执行切换任务。

si7137dp 将用作适配器开关，用于笔记本电脑及工业/通用系统中的负载切换应用。适配器开关（在适配器/墙壁电源和电池电源间切换）一直处于导通状态，消耗电流。si7137dp 的低导通电阻能耗低，节省电力并延长两次充电间的电池可用时间。

对于使用 20v 器件足够的应用，si7137dp 令设计人员无须依赖 30v 功率 mosfet，直到最近 30v 功率 mosfet 才成为具有如此低导通电阻范围的唯一 p 通道器件。最接近的同类 20v p 通道器件具有 12-v 以上的栅极至源极额定值，在 4.5v 栅极驱动时导通电阻为 14 mω，且没有 10v 栅极至源极电压的特点。在同类 30v 器件中，采用 so-8 封装尺寸的最低 p 通道导通电阻在 10v 及 4.5v 时分别为 3.5 mΩ 和 6.3 mΩ，约为 si7137dp 的一倍。

vishay 将在 2009 年发布具有各种额定电压及封装选择的其他 p 通道 trenchfet 第三代功率 mosfet。今天发布的该器件 100% 通过rg 和 uis 认证，且不含卤素。

目前，新型 si7137dp trenchfet 功率 mosfet 可提供样品，并已实现量产，大宗订单的供货周期为 10 至 12 周。