vishay推出新款500v n沟道功率mosfet --- sihf8n50l-e3。与前一代器件相比，该器件的开关速度和损耗均得到了改善。sihf8n50l-e3适用于zvs拓扑，具有低至63ns的trr和114nc的qrr，栅极电荷为34nc。sihf8n50l-e3改善了反向恢复特性，从而能够更好地抵御emi，实现更高的效率，同时避免出现导致mosfet烧毁的内部体二极管恢复故障。vishay今天推出的新mosfet具有500v电压等级，在10v栅极驱动下的最大导通电阻低至1.0ω。低rds(on)意味着低传导损耗，可以在用于lips逆变器、hid、pc电源和镇流器的llc、全桥、半桥和双管正激拓扑中节省能源。为了能可靠地工作，该器件进行了完备的雪崩测试，可处理22a的脉冲峰值电流和8a的连续电流(由最高结温限定)。sihf8n50l-e3采用to-220 fullpak封装，符合rohs指令2002/95/ec。新款功率mosfet现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为八周至十周。;