n沟道mosfet采用vishay planar cell技术生产，这项技术为减小通态电阻进行了定制处理，可承受在雪崩和整流模式中的高能量脉冲。与前一代mosfet相比，sihp12n50c-e3、sihf12n50c-e3和sihb12n50c-e3改善了开关速度和损耗。这些器件符合rohs指令2002/95/ec，并经过了完备的雪崩测试，以实现可靠的工作。新款功率mosfet现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为八周到十周。;vishay intertechnology推出三款新型500v、12a的n沟道功率mosfet --- sihp12n50c-e3、sihf12n50c-e3和sihb12n50c-e3，该mosfet在10v栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0.555ω，栅极电荷减小为48nc，采用to-220、to-220 fullpak和d2pak(to-263)封装。这三款器件的低导通电阻意味着更低的功率损耗，从而在各种应用的功率因数校正(pfc)升压电路、脉宽调制(pwm)半桥和llc拓扑中节约能源，这些应用包括笔记本电脑的交流适配器、pc机和液晶电视，以及开放式电源。除了具有低导通电阻，这三款器件的栅极电荷为48nc。栅极电荷与导通电阻的乘积低至26.64ω-nc，该数值是描述用于功率转换应用中mosfet性能的优质系数(fom)。