采用无封装技术且增大了管芯面积，si8800edb的芯片级封装提供了单位面积上极低的导通电阻。mosfet在4.5v、2.5v、1.8v和1.5v下的最大导通电阻分别为80mω、90mω、105mω和150mω。 　　新器件的典型应用包括负载开关和手机、pda、数码相机、mp3播放器和智能手机等便携式设备中的小信号切换。si8800edb的低导通电阻可延长这些产品中两次充电之间的电池寿命。　　si8800edb的典型esd保护为1500v，符合rohs指令2002/95/ec，符合iec 61249-2-21定义的无卤素规范。 vishay intertechnology, inc.日前宣布，推出业界最小和最薄的n沟道芯片级功率mosfet --- si8800edb，该器件也是面积低于1mm2的首款产品。20v micro foot si8800edb具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度，可减少在便携式电子产品中占用的空间。　　随着便携式产品变得愈加小巧，器件的尺寸成为选择器件的重要因素，因为按键和电池占用了大部分空间，使pcb的面积受到极大限制。si8800edb具有超小的外形和厚度，比同样采用芯片级封装的尺寸第二小的n沟道器件小36%，薄11%，能够实现更加小巧且功能更多的终端产品。