栅极电荷与导通电阻的乘积是用于功率转换应用中mosfet的优值系数(fom)，sihg47n60s的fom为15.12ω-nc，是业界此类器件当中最低的。 sihg47n60s的低导通电阻意味着更低的传导损耗，从而在太阳能电池和风力发电机的逆变器、通信、服务器和电机控制电源应用中的逆变器电路和脉宽调制(pwm)全桥拓扑中节约能源。新的sihg47n60s使用vishay super junction技术制造，这种技术为减小通态电阻、在雪崩和通信模式中承受高能脉冲进行了有针对性的处理。mosfet符合rohs指令2002/95/ec，为保证可靠工作进行了完备的雪崩测试。新款功率mosfet现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十周到十二周。vishay intertechnology, inc.（nyse 股市代号：vsh）宣布，推出新款600v、47a n沟道功率mosfet—— sihg47n60s，该mosfet在10v栅极驱动下具有0.07ω的超低最大导通电阻，栅极电荷减小到216nc，采用to-247封装。