Vishay Siliconix推出N沟道功率MOSFET

来源：作者：华仔浏览：284 时间：2016-08-10 14:18

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摘要：2009 年 8 月 17 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用热增强PowerPAK® SC-75封装、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，扩大了N沟道TrenchFET®家族的阵容。今天发布的器件包括业界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件，以及具有业内最低导通电阻的20V MO

2009 年 8 月 17 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用热增强PowerPAK ®SC-75封装、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，扩大了N沟道TrenchFET ®家族的阵容。今天发布的器件包括业界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件，以及具有业内最低导通电阻的20V MOSFET。

已经发布的Siliconix SiB414DK是首款8V单N沟道功率MOSFET，也采用PowerPAK SC-75占位的封装，30V SiB408DK和20V SiB412DK的加入进一步壮大了该产品系列。SiB408DK在10V时的导通电阻只有40mΩ，SiB412DK在4.5V时的导通电阻低至34mΩ，比最接近的竞争器件低21%。

PowerPAK SC-75封装的尺寸为1。6mmx16。mmx0。8mm，比2mmx2mm的器件小72％，比广泛使用的TSOP-6器件小72%，同时具有近似的导通电阻。而对设计者来说，更小尺寸的PowerPAK SC-75能够在便携式电子产品中节省空间、降低功耗，从而在满足消费者对电池运行时间要求的前提下，提供更多的功能。

N沟道PowerPAK SC-75功率MOSFET的典型应用包括负载、功放和便携式电子产品中的电池开关。与常用的3mm x 3mm封装相比，该器件可节约在1/8砖或1/16砖电源模块中的所占空间。SiB408DK还可用做笔记本电脑和上网本中的负载开关。

这些器件符合IEC 61249-2-21的无卤素规范和RoHS指令2002/95/EC。MOSFET百分之百通过了Rg和UIS测试。

器件规格表

型号

SiB414DK

SiB412DK

SiB408DK

VDS

8 V

20 V

30 V

VGS

± 5 V

± 8 V

± 20 V

RDS(ON) @ 10 V

40 mΩ

RDS(ON) @ 4.5 V

26 mΩ

34 mΩ

50 mΩ

RDS(ON) @ 2.5 V

30 mΩ

40 mΩ

RDS(ON) @ 1.8 V

37 mΩ

54 mΩ

RDS(ON) @ 1.5 V

52 mΩ

RDS(ON) @ 1.2 V

89 mΩ

新款N沟道PowerPAK SC-75功率MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十周至十二周。

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型号	厂商	价格
EPCOS	爱普科斯	/
STM32F103RCT6	ST	￥461.23
STM32F103C8T6	ST	￥84
STM32F103VET6	ST	￥426.57
STM32F103RET6	ST	￥780.82
STM8S003F3P6	ST	￥10.62
STM32F103VCT6	ST	￥275.84
STM32F103CBT6	ST	￥130.66
STM32F030C8T6	ST	￥18.11
N76E003AT20	NUVOTON	￥9.67

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