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英飞凌扩展其逆导软开关IGBT 产品组合,新增 650V RC-H5器件

来源: 作者:华仔 浏览:742

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摘要:新器件可降低高达 30% 的开关损耗,使系统更加节能高效英飞凌科技股份公司全新推出一款单片集成逆导二极管的 650V器件,再次扩展其最新一代逆导软开关IGBT(绝缘栅双极晶体管)产品线。英飞凌的RC-H5 系列产品性能卓越,而新推出的这款器件更将显著扩大RC-H5系列产品的应用范围。全新的分立式RC-H5 650V电源半导体是多炉盘电磁炉和带逆变器微波炉的绝佳之选,也是各类硬开关半桥配置拓扑结构的

新器件可降低高达 30% 的开关损耗,使系统更加节能高效

英飞凌科技股份公司全新推出一款单片集成逆导二极管的 650V器件,再次扩展其最新一代逆导软开关IGBT(绝缘栅双极晶体管)产品线。英飞凌的RC-H5 系列产品性能卓越,而新推出的这款器件更将显著扩大RC-H5系列产品的应用范围。全新的分立式RC-H5 650V电源半导体是多炉盘电磁炉和带逆变器微波炉的绝佳之选,也是各类硬开关半桥配置拓扑结构的最佳选择。

TO247_650V-RC-H5.jpg2014-5-19 15:05:33 上传 下载附件(10.85 KB)

新推出的分立式RC-H5 650V电源半导体与所有的RC-H5产品一样,比前一代产品更加高效节能,可进一步降低30%的开关损耗,使设计人员将能够使用的IGBT工作频率提高到40KHz。总而言之,这款全新设计的分立式电源半导体节能性能更出色,可使系统整体减少5%的能源消耗。

基于RC-H5 650V的系统不仅节能性能出色,而且由于阻断电压增大,使系统设计更具优势,从而大幅提升系统可靠性。650V逆导系列器件品质非凡,既有适合快速开关应用的器件,又有符合软开关设计的器件,不仅在使用上更具灵活性,还能减少系统整体受到的限制。这款新器件具有更好的EMI特性,所需滤波电路更少,对各类的开关设计都有极大的好处。它还可优化热性能,在175°C的最高结温(芯片正常工作的环境温度)下进行无故障操作。

英飞凌科技股份有限公司IGBT分立器件营销总监Roland Stele指出:“在所有家用电器中,电磁炉具有极大潜力,可为人们节省更多能源消耗,为保护地球环境做出贡献。凭借新推出的分立式RC-H5 650V器件,英飞凌将为家用电器提供更丰富的产品,促使我们的客户研发出更可靠更节能的系统。”

产品组合及可用性
RC-H5器件现有20A、40A、50A三种电流级别可供选择。将于2014年6月提供样品,届时产品将开始量产。RC-H5系列产品与EiceDRIVER? 1EDL、2EDL驱动芯片结合使用,与XMC 1000/4000系列微控制器结合使用可达到最佳效果。更多有关英飞凌RC-H5电源半导体的信息,。


型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67
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