晶元光电研发中心(EPISTAR LAB)技术团队积极投入研发，近日成功开发并导入许多前瞻性技术，如新颖性透明导电薄膜(TCO)材料、复合式反射镜结构、减少光线吸收之磊晶设计等。研发中心将相关技术导入后，有效地增加光子萃取效率，已大幅提升IR产品效能，创下多项新纪录。

根据最新数据显示(如上图)，SFPN42芯片尺寸1x1mm2，实验室环境中在操作电流40mA下，达最高光电转换效率75%；操作电流350mA下WPE大于70%；1A操作电流下．发光强度更是超越了1W，达输出功率1,027mW，领先各业界群雄，如此亮眼的水平使LED更趋于省电节能。

晶元光电秉持着实现LED无限可能之精神，持续致力于提升产品效能，目前IR 850nm产品的应用范围除了以往的摇控器、开关等传统应用之外，也包括保全监视、智能触碰屏幕、无线通讯及交通系统等新应用，期望与客户携手将LED光源推广到更具潜力之市场上，并期许能协助客户提升竞争优势。